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>超高純單壁碳納米管(TNST)(移動(dòng)催化)

超高純單壁碳納米管(TNST)(移動(dòng)催化)

KY TNST

直接聯(lián)系

四川墾業(yè)科技發(fā)展有限公司

四川

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)
參考報(bào)價(jià):

面議

型號(hào):

KY TNST

關(guān)注度:

1424

創(chuàng)新點(diǎn):

KYTNST具有高的燃點(diǎn),起燃溫度可達(dá)620°C,可應(yīng)用于透明導(dǎo)電薄膜及其它科研和工業(yè)領(lǐng)域。
利用TNST制備的透明導(dǎo)電薄膜片電阻不低于200ohm/sq,透光率不低于80%。

產(chǎn)品介紹

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KY TNST

超高純單壁碳納米管(TNST)(移動(dòng)催化)

單壁碳納米管 SWCNTs, 移動(dòng)催化,純度+95%

Categories No: TNST

Name: High Purity Single-walled Carbon Nanotubes

Purity: >95wt%

Diameter: <2nm

Length: 5-30um

SSA: >490m2/g

Color: Black

Making method: CVD

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產(chǎn)品描述:

超高純單壁碳納米管---超高純單壁碳納米管(KYTNST)是先利用甲烷經(jīng)鈷催化劑催化裂解,然后在空氣中氧化制備得到的。此類產(chǎn)品幾乎不含無(wú)定形碳。

KYTNST具有高的燃點(diǎn),起燃溫度可達(dá)620°C,可應(yīng)用于透明導(dǎo)電薄膜及其它科研和工業(yè)領(lǐng)域。

利用TNST制備的透明導(dǎo)電薄膜片電阻不低于200ohm/sq,透光率不低于80%。

KYTNST 是制備碳納米管透明導(dǎo)電薄膜的一種優(yōu)良原材料。

制備得到的透明導(dǎo)電薄膜可廣泛應(yīng)用于觸摸屏、平板顯示器、液晶顯示器及太陽(yáng)能電池領(lǐng)域。

2.jpg

與傳統(tǒng)的銦錫氧化物鍍膜相比,碳納米管透明導(dǎo)電薄膜具有以下明顯優(yōu)勢(shì):

1. 長(zhǎng)時(shí)間使用,具有穩(wěn)定的機(jī)械性能

2. 具有寬的透光譜帶

3. 在不損失薄膜均勻性的前提下,具有較高的片電阻

4. 成本低廉

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超高純單壁碳納米管(TNST)(移動(dòng)催化)

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超高純單壁碳納米管(TNST)(移動(dòng)催化) - 1424
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