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光譜 SiC外延體相表相無損缺陷分析

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上海英生電子科技有限公司

上海

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參考報價：

面議

品牌：

上海英生

型號：

光譜 SiC外延體相表相無損缺陷分析

關(guān)注度：

580

產(chǎn)品介紹

July 04, 2023 – 微波探測空間分辨率低，僅為mm級別，無法獲得載流子壽命精確分布成像。采用全新瞬態(tài)吸收光譜成像技術(shù)，利用高速相機實現(xiàn)載流子衰減動力學(xué)的成像，無需掃描樣品！檢測速度大幅提升

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光譜 SiC外延體相表相無損缺陷分析

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