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儀器簡(jiǎn)介：

■ 砷化銦探測(cè)器（InAs）

———近紅外探測(cè)器 波長(zhǎng)范圍：1-3.8μm

技術(shù)參數(shù)：

主要技術(shù)指標(biāo)

型號(hào)/參數(shù) DInAs3800 DInAs3800-TE

光敏面直徑(mm) 2 2

波長(zhǎng)范圍(μm) 1-3.8 1-3.8

峰值響應(yīng)度(A/W) 0.8 1.5

D*(@λpeak， 1KHz)cm Hz1/2W-1 2.5×109 9.1×1012

NEP(@λpeak，1KHz)pW/Hz1/ 2 71 4.4

溫控器型號(hào) - ZTC-2

探測(cè)器溫度(℃) 室溫 -40

溫度穩(wěn)定度(℃) - ±0.5

信號(hào)輸出模式 電流 電流

輸出信號(hào)極性 正（P） 正（P）

制冷模式時(shí)須使用溫控器（型號(hào)：ZTC）

推薦使用前置放大器型號(hào)：ZAMP

主要特點(diǎn)：

■ 砷化銦探測(cè)器（InAs）

———近紅外探測(cè)器 波長(zhǎng)范圍：1-3.8μm

DInAs3800和DInAs3800-TE兩種型號(hào)，其中：◆ DInAs3800內(nèi)裝進(jìn)口常溫型探測(cè)元件；◆ DInAs3800-TE內(nèi)裝進(jìn)口TE制冷型探測(cè)元件。

砷化銦探測(cè)器使用建議：

● DInAs3800和DInAs3800-TE均為電流輸出模式的光電探測(cè)器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器ZAMP（Page85做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)，標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接入信號(hào)，但仍建議增加前置放大器以提高探測(cè)靈敏度；

● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時(shí)，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器以提高探測(cè)靈敏度；

● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時(shí)，由于DCS300PA雙通道已集成信號(hào)放大器，故可不再需要另行選配前置放大器；

● 制冷型DInAs3800-TE砷化銦探測(cè)器，在制冷模式時(shí)須使用溫控器（型號(hào)：ZTC）進(jìn)行降溫控制。