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儀器簡(jiǎn)介：

■ 常溫型銦鎵砷探測(cè)器（InGaAs）

———常溫型近紅外探測(cè)器，波長(zhǎng)范圍：0.8-1.7μm

■ TE制冷型銦鎵砷探測(cè)器（InGaAs）

——TE制冷型近紅外探測(cè)器，波長(zhǎng)范圍：0.8-2.6μm

TE制冷型銦鎵砷探測(cè)器DInGaAs(x)-TE具有相同的外觀設(shè)計(jì)，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用進(jìn)口二級(jí)TE制冷銦鎵砷探測(cè)元件。

技術(shù)參數(shù)：

■ 常溫型銦鎵砷探測(cè)器（InGaAs）

———常溫型近紅外探測(cè)器，波長(zhǎng)范圍：0.8-1.7μm

三種常溫型銦鎵砷探測(cè)器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外觀設(shè)計(jì)，其中：

◆ DInGaAs1600型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)小面積InGaAs探測(cè)元件（光譜響應(yīng)度曲線參考圖1）

◆ DInGaAs1650型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)大面積InGaAs探測(cè)元件（光譜響應(yīng)度曲線參考圖2）

◆ DInGaAs1700型內(nèi)裝進(jìn)口大面積InGaAs探測(cè)元件（光譜響應(yīng)度曲線參考圖3）

主要特點(diǎn)：

■ 常溫型銦鎵砷探測(cè)器（InGaAs）

———常溫型近紅外探測(cè)器，波長(zhǎng)范圍：0.8-1.7μm

■ TE制冷型銦鎵砷探測(cè)器（InGaAs）

——TE制冷型近紅外探測(cè)器，波長(zhǎng)范圍：0.8-2.6μm

TE制冷型銦鎵砷探測(cè)器DInGaAs(x)-TE具有相同的外觀設(shè)計(jì)，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用進(jìn)口二級(jí)TE制冷銦鎵砷探測(cè)元件，光譜響應(yīng)曲線參考圖如下：

銦鎵砷探測(cè)器使用建議：

● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器均為電流輸出模式的光電探測(cè)器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器ZAMP（Page85)做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)；標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接入信號(hào)，但仍建議增加前置放大器以提高探測(cè)靈敏度；

● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器配合DCS103數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時(shí)，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器以提高探測(cè)靈敏度；

● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時(shí)，由于DCS300PA雙通道已集成信號(hào)放大器，故可不再需要另行選配前置放大器；

● 制冷型DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)，在制冷模式時(shí)須使用溫控器（型號(hào)：ZTC）進(jìn)行降溫控制；