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質(zhì)譜檢測分析儀

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Waters SYNAPT G2-Si質(zhì)譜

直接聯(lián)系

沃特世科技(上海)有限公司(Waters)

美國

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)
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面議

關(guān)注度:

562

產(chǎn)品介紹

SYNAPT所具備的無需妥協(xié)的定性與定量性能、精簡的工作流程和****的平臺(tái)通用性,為復(fù)雜混合物和分子的詳盡表征開辟了新的途徑。

  • **的UPLC/MS/MS性能

  • 強(qiáng)大的數(shù)據(jù)獨(dú)立型和數(shù)據(jù)依賴型解決方案

  • CID與ETD碎裂功能

  • 多種實(shí)驗(yàn)類型選擇

  • 升級至三維的數(shù)據(jù)分辨率

**的UPLC/MS/MS性能

將StepWave和UPLC分離與定量飛行時(shí)間(QuanTof)技術(shù)相結(jié)合,實(shí)現(xiàn)**的峰容量和數(shù)據(jù)質(zhì)量。StepWave是目前*靈敏和*可靠的離子源,具有“主動(dòng)”選擇離子和“被動(dòng)”防止中性污染物的獨(dú)特功能。

與其他所有質(zhì)譜分析器不同,QuanTof能夠提供高質(zhì)量數(shù)高分辨率、精確質(zhì)量數(shù)和準(zhǔn)確的同位素比例、寬的動(dòng)態(tài)范圍(譜圖內(nèi)和定量)和m/z范圍,并且都可以在*快的采集速率實(shí)現(xiàn),即便是對于高基質(zhì)負(fù)荷的樣品也是如此。

強(qiáng)大的數(shù)據(jù)獨(dú)立型和數(shù)據(jù)依賴型解決方案

****的適用范圍和效率,適用于復(fù)雜混合物的分析。通用型UPLC/MSE采集技術(shù)可以記錄每個(gè)可檢測的分子離子的碎片離子數(shù)據(jù),與其它“數(shù)據(jù)獨(dú)立型分析”(DIA) 技術(shù)相比,具有**的占空比;同時(shí)我們的信息學(xué)技術(shù)可以為各種各樣的應(yīng)用提供精簡的數(shù)據(jù)分析流程。

要想獲得更高效、更有效的靶向MS/MS,請選用**的“非數(shù)據(jù)獨(dú)立型”工作流程。使用高分辨率MRM工作流程,可獲得更低的定量限;而使用FastDDA可實(shí)現(xiàn)更高的MS/MS靈敏度,擴(kuò)大研發(fā)實(shí)驗(yàn)中的化合物覆蓋范圍。

CID與ETD碎裂功能

TriWave的雙碰撞室結(jié)構(gòu)可提供碰撞誘導(dǎo)解離(CID)和/或電子轉(zhuǎn)移解離(ETD)碎裂,并且同時(shí)得到高分辨率和精確質(zhì)量數(shù),從而獲得更好的MS/MS檢測結(jié)果。ETD選件性價(jià)比高,可以實(shí)現(xiàn)**性能(碎裂效率)和靈活性,且易于和使用和維護(hù)。

高解析度四極桿包括4KDa、8KDa或32KDa質(zhì)量數(shù)范圍,適用于從小分子到大分子的MS/MS測定。

多種實(shí)驗(yàn)類型選擇

沃特世的離子源結(jié)構(gòu)可與各種技術(shù)相結(jié)合:對于分離,可結(jié)合UPLC、nanoUPLC、HDX Automation、APGC和UPC2;對于電離,可結(jié)合ESI、APCI、APPI、ASAP、 DESI、DART和LDTD。它們可快速互換,在幾分鐘內(nèi)即可使用。

對于直接進(jìn)樣分析方法,可升級至HDMS功能和T-Wave 離子淌度技術(shù),后者可提供**的電離后選擇性與特異性。在與高性能可以與大氣壓離子源快速切換MALDI選件結(jié)合時(shí),這一點(diǎn)具有非常明顯的優(yōu)勢。

升級至三維的數(shù)據(jù)分辨率!

保留。遷移。質(zhì)量。某些情況下,色譜和質(zhì)量數(shù)分辨率還不能滿足要求??珊唵?、快速、獨(dú)特地升級至SYNAPT 高清晰質(zhì)譜功能和高效T-Wave離子淌度技術(shù),從而可在分子大小和形狀的基礎(chǔ)上獲得另一個(gè)分離維度。利用分子碰撞截面特性這一項(xiàng)獨(dú)特的功能,可以提供**水平的選擇性、特異性、靈敏度和結(jié)構(gòu)分析。其優(yōu)點(diǎn)還包括同分異構(gòu)體分離、消除干擾、生成更干凈的譜圖,以及更準(zhǔn)確地識(shí)別化合物ID。

注意:本頁面內(nèi)容僅供參考,所有資料請以沃特世官方網(wǎng)站()為準(zhǔn)。

產(chǎn)品咨詢

Waters SYNAPT G2-Si質(zhì)譜

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