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硅晶圓作為集成電路基底材料，具有電阻率、氧碳含量可控的特點。單晶錠經(jīng)過線切割、磨片、拋光、清洗等工序的作用，得到具有特定厚度和幾何參數(shù)以及表面潔凈的硅晶片。主要用于邏輯芯片（Logic）、閃存芯片（3D NAND & Nor Flash）、動態(tài)隨機存儲芯片（DRAM）、圖像傳感器（CIS）、顯示驅(qū)動芯片（Display Driver IC）等，并在12英寸重摻砷低電阻率2.3—3毫歐、重摻紅磷低電阻率1.3毫歐上取得突破。