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適用于高容、高壓鎳電極片式陶瓷電容器芯片快燒工藝，中在氮氣氛下進行再氧化工藝燒結(jié)，可以代替日本、韓國進口再氧化爐。

技術(shù)參數(shù)：

技術(shù)特點：
*爐膛耐火材料采用輕質(zhì)無機材料和納米材料砌筑，節(jié)能環(huán)保，保溫性能優(yōu)于進口同類設(shè)備。
*溫區(qū)溫度獨立控制，控溫精度高，溫度均勻性好。
*爐膛進氣采用質(zhì)量流量計和數(shù)顯轉(zhuǎn)子流量計控制，氣氛控制精準，滿足工藝需求。
*網(wǎng)帶輸送平穩(wěn)，有自動糾偏功能。
*智能自動化控制系統(tǒng)，可存貯30條工藝曲線，配置遠程數(shù)據(jù)采集、監(jiān)測功能。
*適合大批量生產(chǎn)，滿足客戶工藝需求，產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定。