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IDONUS,紅外顯微鏡,IRM 200-auto

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產(chǎn)品介紹

紅外光晶圓檢查顯微鏡 IR Light Wafer Inspection Microscope

紅外顯微鏡裝有長(zhǎng)工作距離的物鏡,三步變焦可以很容易選擇視野。

紅外傳感器鏡頭通過USB將圖像傳輸?shù)诫娔X。在物鏡5倍的條件下,分辨率可以優(yōu)于3 μm。另配有頂部光源,既可以作為傳統(tǒng)模式使用,又能進(jìn)行晶圓上面檢查。XY移動(dòng)臺(tái)可以ZUI大可以檢測(cè)8英寸以內(nèi)的晶圓,移動(dòng)臺(tái)用一個(gè)操縱桿進(jìn)行全自動(dòng)控制。實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下,可以替換為精密的手動(dòng)調(diào)節(jié)臺(tái)。

由于紅外光可以透過硅,所以紅外顯微鏡被廣泛應(yīng)用于硅片上圖形的檢測(cè)。

idonus紅外顯微鏡裝有長(zhǎng)工作距離的物鏡,三步變焦可以很容易選擇視野。紅外傳感器鏡頭通過USB將圖像傳輸?shù)诫娔X。在物鏡5倍的條件下,分辨率可以優(yōu)于3 μm。另配有頂部光源,既可以作為傳統(tǒng)模式使用,又能進(jìn)行晶圓上面檢查。XY移動(dòng)臺(tái)可以ZUI大檢測(cè)8英寸以內(nèi)的晶圓,移動(dòng)臺(tái)用一個(gè)操縱桿進(jìn)行全自動(dòng)控制。實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下,可以替換為精密的手動(dòng)調(diào)節(jié)臺(tái)。

應(yīng)用:

以下兩張圖片是用紅外光顯微鏡拍攝的。

在絕緣體上硅(SOI)晶圓片上制作的部分微結(jié)構(gòu)的俯視圖。

紅外圖像相同的地區(qū)經(jīng)過60分鐘的高頻氣相腐蝕。掩埋的二氧化硅的蝕刻變得可見,這使得可以確定釋放和非釋放部分

idonus紅外顯微鏡的特點(diǎn):

1、背面紅外光源

2、頂部光源

3、XY移動(dòng)臺(tái)ZUI大可檢測(cè)晶圓尺寸8英寸

4、長(zhǎng)工作距離物鏡

5、三步變焦

6、紅外傳感器鏡頭

7、通過計(jì)算機(jī)查看

idonus紅外顯微鏡的應(yīng)用:

1、釋放后的MEMS器件的檢查

2、填埋材料的蝕刻速率測(cè)試(如SOI晶圓)

3、融熔接合的檢查

4、硅晶圓/碎片的背面校準(zhǔn)

5、質(zhì)量控制

idonus紅外顯微鏡的優(yōu)點(diǎn):

1、在較高的填充因子下的可靠的加工更小的MEMS圖案

2、頂部和背部光源

3、高分辨率(5倍物鏡下分辨率優(yōu)于3 μm)

4、更小的印跡

5、操作簡(jiǎn)單,快速顯示結(jié)果

產(chǎn)品型號(hào):IRM 200-auto可放置晶圓尺寸:200mm(8英寸)以內(nèi)

XY臺(tái)移動(dòng)距離:200 X 200 mm

XY臺(tái)移動(dòng)方式:通過操縱桿全自動(dòng)控制

產(chǎn)品型號(hào):IRM 100-man可放置晶圓尺寸:100mm(4英寸)以內(nèi)

XY臺(tái)移動(dòng)距離:100 X 100 mm

XY臺(tái)移動(dòng)方式:手動(dòng)

其他參數(shù):

光學(xué)分辨率:5倍物鏡下分辨率優(yōu)于3 μm

工作距離:32mm

放大倍數(shù):2.5X , 5X , 10X (5倍物鏡下)

變焦:三步變焦0.5X , 1X , 2X

攝像頭:黑白,USB接口輸出,分辨率140萬像素

紅外光源波長(zhǎng):1 μm

可選配件:2.5X,10X,20X物鏡;10mm,150mm晶圓適配環(huán);圖像識(shí)別軟件

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