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傳輸模式激光芯片MCT-1064-90ps

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上海尖豐光電技術(shù)有限公司

德國

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297

產(chǎn)品介紹

BATOP激光芯片1064nm(Microchip)

品牌: BATOP

型號: MCT-1064-90ps

BATOP激光芯片1064nm(Microchip)

品牌: BATOP

型號: MCT-1064-90ps

BATOP GmbH成立于2003年,是一家隸屬于德國耶拿大學(xué)的私人創(chuàng)新型公司。BATOP從事的專業(yè)領(lǐng)域包括:低溫分子束外延技術(shù),介質(zhì)濺射鍍膜,晶圓加工和芯片安裝技術(shù)。在過去幾年里, BATOP 已成為一個(gè)用于被動鎖模激光器的可飽和吸收體的****的供應(yīng)商??娠柡臀债a(chǎn)品集合了各式各樣的不同的器件,從可飽和吸收鏡(SAM™),到可飽和輸出鏡(SOC)和用于透過應(yīng)用的可飽和吸收體(SA)。迄今為止,可飽和吸收產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了800nm到2.6μm的常用激光波長范圍。另一個(gè)產(chǎn)品系列是用于太赫茲發(fā)射和探測的太赫茲光電導(dǎo)天線(PCA)。BATOP不僅提供單帶隙天線,還包括整合了微透鏡的高能大狹縫交叉天線陣列和整套的太赫茲光譜儀。 太赫茲光電導(dǎo)天線的激發(fā)波長為800nm到1550nm之間。BATOP借助強(qiáng)大的研發(fā)能力來不斷提高自己的產(chǎn)品, 我們始終和客戶在一起,**的滿足他們的需求。

產(chǎn)品介紹

Microchip激光芯片1064nm

The Microchip (MC) consists of a saturable absorber bonded with a Nd:YVO4 laser crystal. It can be used to generate pulsed laser radiation at 1064 nm wavelength if pumped with a diode laser at 808 nm using passively Q-switching.

The main advantage of a laser build with a microchip is the pump power dependent repetition rate with fixed pulse duration and pulse energy. By simply increasing the pump power at 808 nm the repetition rate - and consequently the average output power - will be increased proportionally starting from the laser threshold. The laser output is linear polarized.

  • MC - Microchip in reflection mode

  • MCT - Microchip in transmission mode

應(yīng)用領(lǐng)域

  • 微加工

  • 光探測和測距(激光雷達(dá))

  • 精密測量

  • 頻率轉(zhuǎn)換

MCT – 傳輸模式微芯片

  • The Nd:YVO4 laser crystal is bonded with a saturable output coupler (SOC).

  • The laser output beam is in the same direction as the pump beam.

  • The laser output is linear polarized.

Part No.

Delivery time

Description

MCT-1064-90ps

1 week

Microchip in transmission mode

λ = 1064 nm, pulse duration ~ 90 ps,

pulse energy ~ 100 nJ, repetition rate 20 kHz - 400 kHz

pump wavelength 808 nm

MCT-1064-220ps

1 week

Microchip in transmission mode

λ = 1064 nm, pulse duration ~ 220 ps,

pulse energy ~ 160 nJ, repetition rate 20 kHz - 400 kHz

pump wavelength 808 nm

MCT-1064-90ps

Optical Pump Parameters

Parameter at T=25°CMin.Typ.Max.
Wavelength806 nm808 nm810 nm
Optical Pump Power Pp70 mW150 mW-200 mW300 mW
Pump Spot Diameter25 μm40 μm100 μm
Fluorescent Lifetime 35 μs (3%) 
Pump Absorption @ 808nm85%90%97,5%
Pump Power Density5.5 KW/cm2 24 KW/cm2*

Lasing performance with 40μm pump spot size at 25°C

Parameter at T=25°CMin.Typ.Max.
Laser Emission Wavelength1064.0nm1064.3nm1064.6nm
Laser Wavelength Drift 45 pm/100mW** 
Beam Waist Diameter40 μm 100 μm
M21.11.31.5
Pulse Energy75 nJ90 nJ105 nJ
Pulse Duration80 ps90 ps110 ps
Differential Efficiency10%20%25%
Lasing Threshold70 mW90 mW110 mW
Polarization Extinction Ratio 30 
frep20 kHz 400 kHz
Pp (150mW)10 mW12 mW14 mW
Pp (200mW)17 mW20 mW23 mW

Dependency of the average output power P on the pump power at 808 nm

Dependency of the repetition rate frep on the pump power at 808 nm

脈沖持續(xù)時(shí)間

脈沖頻譜

Dependency of the relative frequency jitter on the repetition rate fR

產(chǎn)品咨詢

傳輸模式激光芯片MCT-1064-90ps

上海尖豐光電技術(shù)有限公司

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