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>SI APD雪崩光電探測(cè)器

SI APD雪崩光電探測(cè)器

直接聯(lián)系

筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司

加拿大

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)
參考報(bào)價(jià)：

面議

關(guān)注度：

381

產(chǎn)品介紹

SI APD雪崩光電探測(cè)器

AD100-8 TO

圓形有源區(qū)APD芯片直徑為100μm。 該裝置為透明玻璃窗的密封TO52包裝。其中根據(jù)定制要求，兩種TO52類(lèi)型可供選擇。

產(chǎn)品特征：

APD具有0.008mm2的有效面積

100μm直徑有效面積

低偏置電壓時(shí)的高增益

快速上升時(shí)間，低電容

**增益：50-60

產(chǎn)品應(yīng)用：

激光測(cè)距儀

高速光度測(cè)定

高速光通信

用器材

****額定值：

符號(hào)

參數(shù)

*小值

**值

單位

TSTG

Storage temp

-55

125

℃

TOP

Operating temp

-40

100

℃

Mmax

Gain （IPO=1 nA）

-200

IPEAK

Peak DC current

0.25

mA

光電參數(shù)@23℃：

符號(hào)

特性

測(cè)試條件

*小值

典型值

**值

單位

有效區(qū)域

直徑 100

um

有效區(qū)域

0.00785

mm2

ID

暗電流

M=100

0.05

0.1

nA

C

電容

M=100

0.5

pF

響應(yīng)

M=100；λ=800nm

45

50

A/W

tR

上升時(shí)間

M=100；λ=905nm；RL=50?

0.18

ns

截止頻率

-3dB

2

GHz

VBR

擊穿電壓

IR=2uA

80

160

v

溫度系數(shù)

VBR隨時(shí)間變化

0.35

0.45

0.55

V/K

過(guò)大噪聲因素

M=100

2.2

過(guò)大噪聲指數(shù)

M=100

0.2

光譜響應(yīng)圖（M=100）：

量子效應(yīng)（23℃） 電容為反偏壓（23°C）

乘積作為偏壓（23°C，60℃） 暗電流為偏壓（23℃，60℃）

應(yīng)用提示：

?電流應(yīng)受到電源內(nèi)部的保護(hù)電阻或電流限制 - IC限制

?對(duì)于低光照應(yīng)用，應(yīng)使用環(huán)境光的遮擋

?對(duì)于高增益應(yīng)用，偏置電壓應(yīng)進(jìn)行溫度補(bǔ)償

?處理時(shí)請(qǐng)考慮基本的ESD保護(hù)

?使用低噪聲讀出 - IC

?有關(guān)更多問(wèn)題，請(qǐng)參閱文檔“處理和處理說(shuō)明”

?**增益：50-60

封裝圖：

包裝尺寸：

少量：泡沫墊，盒裝（12厘米x 16.5厘米）

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SI APD雪崩光電探測(cè)器

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SI APD雪崩光電探測(cè)器 - 381
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