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X射線菲涅耳波帶片(FZP)

直接聯(lián)系

北京眾星聯(lián)恒科技有限公司

日本

產(chǎn)品規(guī)格型號
參考報價:

面議

關(guān)注度:

665

產(chǎn)品介紹

世界上只有NTT-AT生產(chǎn)基于SiC膜的 FZP

利用具有高耐用性、SiC膜和清晰形狀的Ta X射線吸收體的FZP能生產(chǎn)堅韌、高精確、清晰的產(chǎn)品。

NTT-AT公司的FZP因其高質(zhì)量而在世界上被廣泛用于產(chǎn)品生產(chǎn)。

優(yōu)點

NTT-AT公司的由SiC膜和Ta吸收體圖案組成的菲涅耳波帶板(FZP)具有出色的高耐X射線輻射性、高分辨率和高對比度。

只有NTT-AT公司提供基于SiC膜的菲涅耳波帶板(FZP)具有出色的高耐X射線輻射性。NTT-AT的FZP由干法蝕刻的Ta組成。吸收體圖案清晰,S/N比高,成像缺陷少, 能理想地應(yīng)用于X射線顯微鏡、X射線微光束輻射和X射線成像。

另外,還提供用于軟X射線和極紫外(EUV、XUV)領(lǐng)域的Ta圖案/SiN膜型FZP和Au板圖案/SiN 膜型FZP。并提供臺階式(基諾全息照片)FZP。

特點

要點

  • 能用于X射線顯微鏡、EUV顯微鏡、X射線微光束輻射和同步加速器輻射光束監(jiān)視等各種X射線應(yīng)用。

  • 出色的高耐X射線輻射性

  • *小區(qū)域?qū)挾冗_25納米

  • 可定制FZP

標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品列表

型號寬高

材料

厚度

(微米)

ΔRn

(納米)

D

(微米)

NTm

(納米)

FZP-S38/844.2SiN0.153884550160
FZP-S50/805SiN0.25080400250
FZP-S40/1555SiN240155970200
FZP-S50/3308SiN1503301,650400
FZP-S86/4168SiN2864161,200700
FZP-100/1558SiN2100155388800
FZP-173/2085.8SiN21732083001,000
FZP-200/2068SiN22002062551,600
FZP-C234/25000.6SiC0.22342,5002,670150

※規(guī)格可能會變更,恕不預(yù)先通告。

Rn:*外區(qū)域?qū)挾?/span>

D:直徑

N:全區(qū)域

Tm:Ta厚度

菲涅耳波帶板(FZP)的X射線吸收體圖案

可按要求定制設(shè)計FZP,滿足用戶的特殊X射線能量、光學(xué)設(shè)置和聚焦、圖像性能。如果本公司的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品商品目錄中沒有所需的產(chǎn)品,

圖案示意圖

(φ2.5mm)(光學(xué)顯微鏡)

以對角觀察的SEM圖

(SEM)

菲涅耳波帶板(FZP)的結(jié)構(gòu)

二進制型

臺階(基諾全息照片)式

*小區(qū)域?qū)挾龋?外區(qū)域)25納米
**直徑5毫米
膜材料SiN, SiC
膜厚度0.2至2微米
吸收體材料Ta
吸收體厚度0.1至2微米
Si基板形狀10平方毫米
Si基板厚度1毫米

※我們可與用戶商討不同需求。

產(chǎn)品示例

超精密圖案菲涅耳波帶板(FZP)

菲涅耳波帶板(FZP)直徑:250微米,Ta厚度:125納米,*外區(qū)域?qū)挾龋?5納米,膜:SiC 2.0微米

高縱橫比(較厚Ta吸收體)菲涅耳波帶板(FZP)

菲涅耳波帶板(FZP)直徑:100微米,Ta厚度:2.5微米,*外區(qū)域?qū)挾龋?50納米,膜:SiN 2.0微米

臺階(基諾全息照片)式菲涅耳波帶板(FZP)

菲涅耳波帶板(FZP)直徑:100微米,Ta厚度:4.0微米,*外區(qū)域?qū)挾龋?00納米,膜:SiC 2.0微米

菲涅耳波帶板(FZP)中間區(qū)域的SEM 圖:臺階(基諾全息照片)式菲涅耳波帶板(FZP)、Ta圖案

產(chǎn)品咨詢

X射線菲涅耳波帶片(FZP)

北京眾星聯(lián)恒科技有限公司

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X射線菲涅耳波帶片(FZP) - 665
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