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Xenemetrix偏振X熒光光譜儀Genius IF

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上海澤權(quán)儀器設(shè)備有限公司(澤泉國(guó)際集團(tuán))

以色列

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)
參考報(bào)價(jià):

面議

關(guān)注度:

413

產(chǎn)品介紹

一、主要特點(diǎn)

(1)、可對(duì)C(6)-Fm(100)(ppm~100%)進(jìn)行無損定性、定量分析;

(2)、采用**WAG(Wide Angle Geometry)技術(shù),配備8個(gè)二次靶;

(3)8款管濾光片,更快更精確的測(cè)定微量及痕量元素;

(4)、標(biāo)準(zhǔn)配置硅漂移探測(cè)器SDD,適于高和低原子序數(shù)的元素分析檢測(cè);

(5)、針對(duì)輕原子序數(shù)元素,可配備分辨率達(dá)123eVSDD LE探測(cè)器;

(6)、外型堅(jiān)固耐用,適于移動(dòng)實(shí)驗(yàn)室,符合沖擊試驗(yàn)MIL810E規(guī)格;

(7)、檢測(cè)光斑可變,適于不同尺寸和形狀的樣品檢測(cè);

(8)、配備集成電腦、專業(yè)nEXt™分析軟件,操作方便;

二、二次靶激發(fā)技術(shù)介紹

二次靶激發(fā)技術(shù)能**程度的去除散射背景,提高信噪比,降低檢測(cè)器的檢測(cè)限。如圖,樣品為含少量Cr,Mn,Fe雜質(zhì)的Ni合金。當(dāng)直接激發(fā)時(shí)(),雜質(zhì)元素的吸收信號(hào)被Ni元素的吸收信號(hào)淹沒;相反,使用Ni二次靶激發(fā)時(shí),雜質(zhì)元素的吸收信號(hào)被大大加強(qiáng)。

三、主要技術(shù)參數(shù)

系統(tǒng)規(guī)格

SDD 版本

SDD LE

測(cè)量范圍

F(9) - Fm(100)

C(6) - Fm(100)

測(cè)量濃度

ppm -100%

X-射線管靶材

Rh

X-射線管電壓/功率

50kV, 50W

激發(fā)類型

直接激發(fā)和二次靶激發(fā)

探測(cè)器

硅漂移探測(cè)器SDD

超級(jí) SDD

分辨率(FWHM)

129eV ± 5eV

123eV ± 5eV

自動(dòng)進(jìn)樣器

8

工作環(huán)境

空氣/真空/氦氣

管濾光片

8款軟件可選

二次靶

8

操作軟件

nEXt™分析包(包含基礎(chǔ)基本參數(shù)法)

選配件

16位自動(dòng)進(jìn)樣器、專業(yè)基本參數(shù)法、真空泵、氦氣凈化器等

產(chǎn)品咨詢

Xenemetrix偏振X熒光光譜儀Genius IF

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