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英國AML 晶圓鍵合機(jī)

AML（"Applied Microengineering Ltd")成立于1992年。公司坐落于英國牛津哈威爾科學(xué)園，主要從事原位晶圓鍵合設(shè)備生產(chǎn)，并在擁有數(shù)百億英鎊高端現(xiàn)代化設(shè)備的BONDCENTER的支撐下，為客戶服務(wù)鍵合相關(guān)服務(wù)工作。

公司生產(chǎn)的對(duì)準(zhǔn)鍵合機(jī)是目前市場上**能夠?qū)崿F(xiàn)在同一設(shè)備上完成原位對(duì)準(zhǔn)、激發(fā)、鍵合的設(shè)備，是MEMS，IC，和III-V鍵合工藝的**選擇。在實(shí)現(xiàn)原位鍵合的同時(shí)，該設(shè)備也被用于壓紋、印壓、納米 壓印及其它圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)?？捎糜诳蒲校⒕哂羞m合批量生產(chǎn)的全自動(dòng)設(shè)備。

AML BONDCENTER為客戶提供了制作鍵合基底，鍵合器件及3D集成和芯片級(jí)封裝的**場所。

NEW ! IRIS-紅外晶圓鍵合檢測& Maszara鍵合強(qiáng)度設(shè)備

紅外檢測是一種快速、簡單的無損檢測方法。它可以檢測鍵合后整片晶

圓的空洞、粘接不良或內(nèi)部的顆粒。

可以對(duì)直徑200mm的晶圓做出快速檢測

? 可檢測的空洞*小高度是250nm

? 空洞橫向*小尺寸600um。

IR檢測整片鍵合完成的晶圓

? 在25mm寬的基板上進(jìn)行測試?？蛇_(dá)檢測200mm的晶圓。

? 可使粘接強(qiáng)度的測量和分析更快速。

? IRIS鍵合強(qiáng)度測量已經(jīng)得到SEMI MS5-0813 “Micro Chevron

Testing”標(biāo)準(zhǔn)的認(rèn)證。

全新的IRIS桌上型分析設(shè)備

? IRIS可以控制產(chǎn)品的失效。

? 插入角度—可通過設(shè)計(jì)來固定和控制。

? 邊緣效應(yīng)-IRIS測量整片晶圓。

自動(dòng)的Maszara鍵合強(qiáng)度測試工具 ? 消除由于操作人員的技術(shù)和方法引起測量的不確定

性—IRIS提供可重復(fù)的刀片插入。

? 應(yīng)力腐蝕-IRIS可以以比應(yīng)力腐蝕速度更快的速度移動(dòng)葉

片， 從而消除了應(yīng)力腐蝕造成的誤差。

? 兼容沒有圖形的晶圓—不像Chevron鍵合強(qiáng)度測試方法那

樣，需要有特定圖形的晶圓。

? 消除操作人員的影響，MAszara測試提供多次的重復(fù)結(jié)果。

? 操作更安全-不用人工操作。

? 整片晶圓的鍵合強(qiáng)度的mapping圖。

? 測量鍵合強(qiáng)度可達(dá)2.5Jm-2。

? 鍵合強(qiáng)度測量支持多種材料的組合，例如：硅、膨化

玻璃、藍(lán)寶石、用戶可以輸入其它材料的彈性模數(shù)。

? 分析軟件可以連續(xù)記錄晶圓的條狀位置；通過自動(dòng)圖像分

析，提取裂縫長度。

全自動(dòng)分析測量數(shù)據(jù)，

并生成鍵合強(qiáng)度的mapping

AML鍵合機(jī)

晶圓對(duì)準(zhǔn)鍵合機(jī)，廣泛應(yīng)用于MEMS器件，晶圓級(jí)封裝技術(shù)(WLP)，先進(jìn)真空封裝基底，TSV 3D互聯(lián)工藝等。

AML鍵合機(jī)具有****的原位晶圓對(duì)準(zhǔn)鍵合技術(shù)：

? 激活、對(duì)準(zhǔn)、鍵合一體機(jī)

? 上下基板獨(dú)立加熱，適合Getter材料工藝

? 低擁有成本 & 高生產(chǎn)能力

? 智能作用力控制

? 可靠的全自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)功能，對(duì)準(zhǔn)精度可達(dá)1微米

? **真空鍵合

? 可鍵合的芯片及晶圓尺寸 為 2” 到 12”

? 自動(dòng)程序控制功能:適用于研發(fā)或生產(chǎn)等應(yīng)用

? 圖像采集功能:用于識(shí)別背面對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記

? 鍵合前晶圓原位激活、化學(xué)表面處理功能

? AML的BONDCENTER可為客戶提供強(qiáng)大的工藝支持

新!

(New!)基於真空的臨時(shí)鍵合技術(shù)，

在3D IC 工藝中**的應(yīng)用，和粘附劑說再見吧！

節(jié)省工藝時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，高性價(jià)比! - 無粘附劑的真空鍵合

- 鍵合時(shí)間 <5 mins

- **工藝溫度 >300^oC

- 解鍵合時(shí)間 <10mins

- 3D-IC 工藝*理想的選擇

基板溫度/鍵合力曲線圖，上下基板可在鍵合過程中保持不同溫度

Cu-Cu鍵合過程中在腔室內(nèi)使用蟻酸氣體對(duì)鍵合表面氧化物進(jìn)行處理，處理后界面EDX譜圖

AML 真空晶圓載片- **臨時(shí)鍵合解決方案，無需使用任何粘附劑

原位等離子體激活處理

原位對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)

FAB12 - 全自動(dòng)晶圓對(duì)準(zhǔn)鍵合機(jī)

晶圓尺寸: 150mm & 200mm (或300mm)

晶圓厚度: Max. stack height 6.5mm

晶圓傳輸: 接觸邊緣 3mm 區(qū)域

基礎(chǔ)氣壓: 10^-6mbar range

抽氣時(shí)間: 5 min (to 10^-4mbar)

**鍵合力: 25kN

卡盒數(shù)量: 2 or 3 (FOUP， SMIF or Open Cassette Load Ports)