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儀器簡介：

日本AET微波(高頻)介電常數(shù)測試儀， 利用微波技術結合高Q腔以及3D電磁場模擬技術，采用德國CST公司的3D電磁類比軟件MW-StudioTM，測量材料的高頻介電常數(shù)，此方法保證了介電常數(shù)測量結果的精確性。

AET公司開發(fā)了二種共振腔：空洞共振腔和開放式同軸共振腔用于測試環(huán)境腔，空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。開放式同軸共振腔適用于不同形狀樣品，包括薄膜樣品的非破壞性測量，使用簡易的逐步操作，內置的反饋振蕩器電路可實現(xiàn)精確的量測。

技術參數(shù)：

頻率范圍：1G~18GHz

同軸共振腔：Epsilon：1~15，準確度：+/-1%，

tangent delta：0.1~0.001，準確度：+/-5%

空洞共振腔：Epsilon：1~30，準確度：+/-1%，

tangent delta：0.05~0.0001，準確度+/-5%

主要特點：

應用領域：

薄膜材料，半導體材料，電子材料（包括CCL和PCB），化學品，陶瓷材料，納米材料，光電材料等。

不僅可測試固體，而且可測試液體，粉末等。

日本AET微波(高頻)介電常數(shù)測試儀，介電常數(shù)分析，介電損耗測試，高頻介電常數(shù)測量。