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儀器簡(jiǎn)介：

薄膜熱應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)（薄膜應(yīng)力儀，薄膜應(yīng)力計(jì)，薄膜應(yīng)力測(cè)試儀），測(cè)量光學(xué)設(shè)計(jì)MOS傳感器榮獲美國(guó)**（**號(hào)US 7，391，523 B1）！同時(shí)kSA公司榮獲2008 Innovation of the Year Awardee！

該設(shè)備已經(jīng)廣泛被全球知名高等學(xué)府（如：Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center，Max Planck Institute，西安交通大學(xué)，中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院，中科院微系統(tǒng)研究所，上海光機(jī)所等）、半導(dǎo)體制和微電子造商（如IBM.，Seagate Research Center，Phillips Semiconductor，NEC，Nissan ARC，Nichia Glass Corporation）等所采用；

同類設(shè)備：

薄膜應(yīng)力測(cè)試儀（薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)，薄膜應(yīng)力計(jì)）；

薄膜殘余應(yīng)力測(cè)試儀；

實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力儀；

技術(shù)參數(shù)：

Film Stress Tester， Film Stress Measurement System，F(xiàn)ilm Stress Mapping System;

1.變溫設(shè)計(jì)：采用真空和低壓氣體保護(hù)，溫度范圍RT~1000°C；

2.曲率分辨率：100km；

3.XY雙向程序控制掃描平臺(tái)掃描范圍：up to 300mm（可選）；

4.XY雙向掃描速度：可達(dá)20mm/s；

5.XY雙向掃描平臺(tái)掃描步進(jìn)分辨率：2 μm ；

6.樣品holder兼容：50mm， 75mm， 100mm， 150mm， 200mm， and 300mm直徑樣品；

7.程序化控制掃描模式：選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全面積掃描；

8.成像功能：樣品表面2D曲率、應(yīng)力成像，及3D成像分析；

9.測(cè)量功能：曲率、曲率半徑、應(yīng)力強(qiáng)度、應(yīng)力、Bow和翹曲等；

10.溫度均勻度：優(yōu)于±2攝氏度；

主要特點(diǎn)： 1.**技術(shù)：MOS多光束技術(shù)（二維激光陣列）；

2.變溫設(shè)計(jì)：采用真空和低壓氣體保護(hù)，溫度范圍RT~1000°C；

3.樣品快速熱處理功能；

4.樣品快速冷卻處理功能；

5.溫度閉環(huán)控制功能，保證優(yōu)異的溫度均勻性和精度;

6.實(shí)時(shí)應(yīng)力VS.溫度曲線；

7.實(shí)時(shí)曲率VS.溫度曲線；

8.程序化控制掃描模式：選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全面積掃描；

9.成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應(yīng)力成像分析；

10.測(cè)量功能：曲率、曲率半徑、薄膜應(yīng)力、薄膜應(yīng)力分布和翹曲等；

11.氣體（氮?dú)狻鍤夂脱鯕獾龋〥elivery系統(tǒng)；

實(shí)際應(yīng)用：