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全球先進(jìn)的薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)，又名薄膜應(yīng)力計(jì)或薄膜應(yīng)力儀！MOS美國(guó)**技術(shù)（**號(hào)US 7，391，523 B1）！曾榮獲2008 Innovation of the Year Awardee！

系統(tǒng)采用非接觸MOS激光技術(shù)；不但可以對(duì)薄膜的應(yīng)力、表面曲率和翹曲進(jìn)行準(zhǔn)確的測(cè)量，而且還可二維應(yīng)力Mapping成像統(tǒng)計(jì)分析；同時(shí)可準(zhǔn)確測(cè)量應(yīng)力、曲率隨溫度變化的關(guān)系；

全球知名高等學(xué)府（如：Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center，Max Planck Institute，西安交通大學(xué)等）、中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院、中科院上海微系統(tǒng)所、中科院上海光機(jī)所、中科院半導(dǎo)體所、半導(dǎo)體制和微電子造商（如IBM.，Seagate Research Center，Phillips Semiconductor，NEC，Nissan ARC，Nichia Glass Corporation）等所采用；

相關(guān)產(chǎn)品：

1. 實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力儀：同樣采用先進(jìn)的MOS技術(shù)，可裝在各種真空沉積設(shè)備上（如：MBE， MOCVD， sputtering， PLD， PECVD， and annealing chambers ects），對(duì)于薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的應(yīng)力變化進(jìn)行實(shí)時(shí)原位測(cè)量和二維成像分析；

2. 薄膜熱應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)；

技術(shù)參數(shù)：薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)，薄膜應(yīng)力測(cè)試儀，薄膜應(yīng)力計(jì)，薄膜應(yīng)力儀，F(xiàn)ilm Stress Tester， Film Stress Measurement System;

1.XY雙向程序控制掃描平臺(tái)掃描范圍：300mm (XY)（可選）；

2.XY雙向掃描速度：可達(dá)20mm/s；

3.XY雙向掃描平臺(tái)掃描步進(jìn)分辨率：2 μm ；

4.樣品holder兼容：50mm， 75mm， 100mm， 150mm， 200mm， and 300mm直徑樣品；

5.程序化控制掃描模式：選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全面積掃描；

6.成像功能：樣品表面2D曲率、應(yīng)力成像，及3D成像分析；

7.測(cè)量功能：曲率、曲率半徑、應(yīng)力強(qiáng)度、應(yīng)力、Bow和翹曲等；

主要特點(diǎn)：

1.程序化控制掃描模式：?jiǎn)吸c(diǎn)掃描、選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全面積掃描；

2.成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應(yīng)力2D成像分析；

3.測(cè)量功能：薄膜應(yīng)力、翹曲、曲率半徑等；

4.支持變溫?zé)釕?yīng)力測(cè)量功能，溫度范圍-65C to 1000C；（選配）

5.薄膜殘余應(yīng)力測(cè)量；

測(cè)試實(shí)例：