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面議
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適用電池:單晶硅、多晶硅太陽(yáng)能電池;交流分析模式下的材料性能分析
測(cè)試項(xiàng)目:**光譜響應(yīng),外量子效率,光譜透過(guò)率,光譜反射率(選配),內(nèi)量子效率(選配)、標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng) AM1.5G 照射下的短路電流密度、表面均勻度等。
1)外量子效率測(cè)試: 利用太陽(yáng)電池光譜響應(yīng)的測(cè)量,可以得出太陽(yáng)電池的量子效率 η(λ),
2)光譜反射率測(cè)試:將單色儀輸出的單色光輸入積分球,分別將已知光譜漫反射率的標(biāo)準(zhǔn)白板和被測(cè)太陽(yáng)能電池放到積分球的一個(gè)開口處,測(cè)量積分球另一開口處的探測(cè)器的輸出光譜電流,通過(guò)比對(duì)得到**光譜反射率曲線。
3)光譜透過(guò)率測(cè)試:測(cè)試樣品室內(nèi)放入樣品和不放入樣品時(shí)標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器的光譜電流/電壓值,相比得到樣品的透過(guò)率,可以測(cè)量太陽(yáng)能電池的光譜透過(guò)率,也可以測(cè)量玻璃的光譜透過(guò)率
4)內(nèi)量子效率測(cè)試:扣除反射率對(duì)外量子效率的影響部分就得到了內(nèi)量子效率。
測(cè)試原理
光源在不同波長(zhǎng)的輻射能量不同,探測(cè)器在不同波長(zhǎng)的響應(yīng)度也不同,因此,所測(cè)得的響應(yīng)電流也會(huì)有較大的不同。假設(shè)系統(tǒng)噪聲 N 不變,響應(yīng)電流 S 大時(shí),系統(tǒng)信噪比(S/N)大,不會(huì)影響測(cè)量精度,如果響應(yīng)電流很小,甚至小于系統(tǒng)噪聲,使 S/N<1,此時(shí)測(cè)量的精度就會(huì)受到極大影響。為解決這個(gè)問(wèn)題,系統(tǒng)采用了相關(guān)檢測(cè)法,利用信號(hào)在時(shí)間上的相關(guān)性,把深埋于噪聲中的周期信號(hào)提取出來(lái)。具體做法是:將光源經(jīng)過(guò)斬波器調(diào)制成具有固定頻率(參考頻率)的周期信號(hào),則探測(cè)器也輸出具有相同頻率的電信號(hào),經(jīng)過(guò)鎖相放大器將含有參考頻率的電信號(hào)檢出,而其它頻率的信號(hào)(噪聲)則被抑制掉,從而提高了系統(tǒng)的信噪比,保證了測(cè)量準(zhǔn)確度。
主要技術(shù)指標(biāo):
指標(biāo) | 參數(shù) |
適用電池 | 單晶硅、多晶硅、半導(dǎo)體材料 |
控制模式 | 軟件控制、全自動(dòng)掃描、自動(dòng)消除誤差、自動(dòng)扣除背景 |
光譜范圍 | 200-1100nm |
掃描間隔 | ≥1nm連續(xù)可調(diào) |
光譜掃描 | 全自動(dòng)、連續(xù) |
測(cè)試結(jié)果重復(fù)性 | <0.3%(短路電流) |
工作模式 | 交流模式AC、 |
斬波頻率 | 5-1000Hz |
溫控臺(tái): | 溫控范圍5-40℃(±0.5℃),選配 |
偏置光源 | 可選配2路 |
單色儀 | 焦距300mm、150mm可選 |
實(shí)測(cè)光譜響應(yīng)曲線
實(shí)測(cè)量子效率曲線
定制5臺(tái)機(jī)連體配套
SEM5000X
防爆觸摸屏/防爆電腦/防爆電腦
金屬回收系統(tǒng)
熱風(fēng)循環(huán)烘箱CT-C系列
自動(dòng)拆包機(jī)
酒精回收塔
自動(dòng)吸盤振動(dòng)器離心式G08T
低溫催化LCO
干燥機(jī)控制
智能控制系統(tǒng)
PicoFemto掃描電鏡原位光電力一體化系統(tǒng)