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離子氮化爐

直接聯(lián)系

普發(fā)拓普真空設(shè)備(北京)有限公司.

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關(guān)注度:

5299

產(chǎn)品介紹

脈沖等離子PulsPlasma?系統(tǒng)包括真空爐室,輔助加熱系統(tǒng),保溫系統(tǒng),溫度測量系統(tǒng),鐘罩提升系統(tǒng),工藝氣體循環(huán)系統(tǒng),冷卻系統(tǒng),工藝控制系統(tǒng)以及離子發(fā)生器系統(tǒng)。這其中的離子發(fā)生器系統(tǒng)是普發(fā)拓普公司的**設(shè)計,可以完全避免打弧現(xiàn)象的發(fā)生而且節(jié)能效果明顯。爐體可以是鐘罩式設(shè)計,也可以是井式爐或臥式設(shè)計。根據(jù)設(shè)備的大小,加熱控制區(qū)至少配有三組獨立控制升溫和降溫的加熱器,通過這些獨立控制的加熱器獲得**的均溫性。


工藝特點:

  • 通過熱壁技術(shù)實現(xiàn)良好的均溫性

  • 工藝氣體消耗少,沒有污染氣體

  • 靈活的滲氮溫度,溫度范圍 300 ℃ - 600 ℃

  • 白亮層可控

  • 可處理不銹鋼

  • 可處理燒結(jié)鋼

  • 可以在同一爐工藝集成脈沖離子氮化-氧化工藝

 

 

設(shè)備特點:

  • 不產(chǎn)生打弧,工件表面無破壞

  • 獨特的加熱和控制系統(tǒng),至少3區(qū)獨立的加熱和冷卻區(qū)域,

  • 控制區(qū)溫度均勻分布

  • 獨有的PulsPlasma?電源,電壓和電流近乎方波,幾微妙內(nèi)獲得

  • 設(shè)定的全部脈沖電流,主動抑制打弧監(jiān)測(開關(guān)時間< 0.1 μs)

  • 電源可升級至5年質(zhì)保

  • 可在低溫下對工件表面進行等離子清洗

  • 設(shè)備布局緊湊,節(jié)省空間,所有部件集成在一個基礎(chǔ)框架內(nèi)

  • 模塊化設(shè)計,提供單室型、交替型和雙室型設(shè)備

  • 特殊航天保溫材料,熱容量低,功率損耗低,節(jié)省重量


產(chǎn)品咨詢

離子氮化爐

普發(fā)拓普真空設(shè)備(北京)有限公司.

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