粉體行業(yè)在線展覽
硒化銦晶體-InSe-γ phase
面議
上海研倍
硒化銦晶體-InSe-γ phase
501
產(chǎn)品技術(shù)參數(shù):
產(chǎn)品名稱 | 硒化銦晶體-InSe-γ phase |
貨號 | RDB-DJ-051 |
性質(zhì) | 半導體 |
產(chǎn)品規(guī)格:
>25 mm2
>35 mm2
>50mm2
硒化銦晶體-InSe-γ phase照片:
晶體截面SEM: XRD:
Raman: 塊體InSe晶體PL光譜:
RDB-FSY-ITO
RDB-PGF-CeO2
RDB-NM-ZnO2
RDB-NM-DDTiO2
RDB-FSY-ATO
RDB-FSY-DDZnO2
RDB-NM-DDZnO2
RDB-NM-RW20
RDB-NM-GMAl2O3
RDB-FSY-TiO2
RDB-NM-La2O3
RDB-PGY-CeO2