粉體行業(yè)在線展覽
砷化鍺晶體-GeAs
面議
上海研倍
砷化鍺晶體-GeAs
480
產(chǎn)品技術參數(shù):
產(chǎn)品名稱 | 砷化鍺晶體-GeAs |
貨號 | RDB-DJ-153 |
性質(zhì) | 半導體 |
保存條件 | 真空密封 |
參數(shù) | 尺寸:>25mm2 >35mm2 >50mm2 |
應用 | 半導體電子器件,光學器件等研究 |
產(chǎn)品規(guī)格:
>25 mm2
>35 mm2
>50 mm2
EDS:
樣品截面SEM:
X射線衍射: 元素分析:
RDB-FSY-ITO
RDB-PGF-CeO2
RDB-NM-ZnO2
RDB-NM-DDTiO2
RDB-FSY-ATO
RDB-FSY-DDZnO2
RDB-NM-DDZnO2
RDB-NM-RW20
RDB-NM-GMAl2O3
RDB-FSY-TiO2
RDB-NM-La2O3
RDB-PGY-CeO2