粉體行業(yè)在線展覽
YB-FM-InAs
面議
上海研倍
YB-FM-InAs
487
可定制
1、產(chǎn)品信息
InAs 是一種直接帶隙半導(dǎo)體材料,在常溫下為固體結(jié)晶。
它具有較高的熔點(942°C)和沸點(3,444°C),熱穩(wěn)定性良好。
InAs 為共價鍵化合物,在常溫下不溶于水,具有一定的化學(xué)穩(wěn)定性。
此外,InAs 還表現(xiàn)出優(yōu)異的電子和光學(xué)特性,是制造紅外光電子器件的理想材料。
2、產(chǎn)品規(guī)格
1、樣品測試包裝客戶指定(<1kg/袋裝)
2、樣品產(chǎn)品包裝(1kg/袋裝)
3、常規(guī)產(chǎn)品包裝(1kg/2kg/5kg/10kg)
備注:內(nèi):充惰性氣體 外:鋁箔袋真空??筛鶕?jù)客戶要求指定包裝。
3、產(chǎn)品概述
產(chǎn)品通過“選用凈化原料+生產(chǎn)純化工藝+品控智能控制”制備生成,產(chǎn)品具有技術(shù)含量高、晶相純、磁性異物少、含水量低、化學(xué)性能穩(wěn)定的特點。
4、產(chǎn)品用途
主要用作III-V族化合物半導(dǎo)體器件(如高電子遷移率晶體管、激光器、光探測器)的活性層材料。
還可用于制造近紅外發(fā)光二極管、太陽能電池、光纖通信等光電功能器件。
此外,InAs 還是制備其他III-V族化合物的前驅(qū)體,在光電子和微電子領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用前景。
RDB-FSY-ITO
RDB-PGF-CeO2
RDB-NM-ZnO2
RDB-NM-DDTiO2
RDB-FSY-ATO
RDB-FSY-DDZnO2
RDB-NM-DDZnO2
RDB-NM-RW20
RDB-NM-GMAl2O3
RDB-FSY-TiO2
RDB-NM-La2O3
RDB-PGY-CeO2
鐵磷硒晶體-FePSe3
CuCrZr、CuSn10、純Cu
鏑鐵(Dy-Fe)合金
yg6、yg8、yg12
-80目,-100目,-200目,-300目,-360目,-400目
多種型號
99。7%
鉻鐵粉