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參數(shù)指標： 
純度：>99%， 
總含氧量：<0.8% 
N含量：33.5% 
金屬雜質(zhì)含量：200ppm 
D50: 50nm 
比表面積：58.94m2/g 
保存期: 干燥環(huán)境下保存二年 
性能：氮化鋁粉體純度高，分布均勻、良好的注射成形性能；具有較高的高溫強度及較高的熱導系數(shù)，具有良好的絕緣性、耐高溫、耐腐蝕等特性，較低的介電常數(shù)及介電損耗，熱膨脹接近于硅，具有較好的機械加工性等。是一種具有廣泛應用前途的高導熱陶瓷材料。是半導體、功率?？?、電子封裝、大規(guī)模集成電路基片，導電蒸發(fā)舟等電子材料領(lǐng)域的重要材料?？梢杂闷渲谱髹釄搴蜐仓＞叩冉Y(jié)構(gòu)材料。 
主要用途： 
1）用作大功率半導體器件的絕緣基片、大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的散熱基片、鋰電池內(nèi)部的隔板材料、切削工具、封裝材料、高溫潤滑劑、熱散板及粘結(jié)劑等。 
2)制造集成電路基板、電子器件、光學器件、散熱器、高溫坩鍋；制備金屬基及高分子基復合材料，特別是在高溫密封膠粘劑和電子封裝材料中有極好的應用前景。 
3）導熱填料：如金屬、陶瓷及石墨基復合材料，橡膠、塑膠、涂料、膠粘劑及其它高分子基復合材料。