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產(chǎn)品特點

1、單層，晶格缺陷少，接近本征石墨烯；

2、可見光透過率高，導電性良好;

3、加工性好，可以轉(zhuǎn)移在不同的基材上。

特征與優(yōu)勢

CVD銅基底石墨烯薄膜的制備，采用化學氣相沉積法，將碳源高溫分解沉積在銅基底表面，形成了二維碳原子層。CVD銅基底石墨烯薄膜的單層率高，品質(zhì)優(yōu)異，可實現(xiàn)石墨烯大面積生長，且較易轉(zhuǎn)移到其它各種基材上使用。