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納米粒度測量——先進的動態(tài)光背散射技術

Zeta電位測量：Microtrac MRB以其在激光衍射/散射技術和顆粒表征方面的獨到見解，經過多年的市場調研和潛心研究，開發(fā)出新一代NANOTRAC WAVE II微電場分析技術，融納米顆粒粒度分布與Zeta電位測量于一體，無需傳統(tǒng)的比色皿，一次進樣即可得到準確的粒度分布和Zeta電位分析數據。與傳統(tǒng)的Zeta電位分析技術相比，NANOTRAC WAVE II采用先進的“Y”型光纖探針光路設計，配置膜電極產生微電場，操作簡單，測量迅速，無需精確定位由于電泳和電滲等效應導致的靜止層，無需外加大功率電場，無需更換分別用于測量粒度和Zeta電位的樣品池，完全消除由于空間位阻（不同光學元器件間的傳輸損失，比色皿器壁的折射和污染，比色皿位置的差異，分散介質的影響，顆粒間多重散射等）帶來的光學信號的損失，結果準確可靠，重現(xiàn)性好。

測量原理：

粒度測量：動態(tài)光背散射技術和全量程米氏理論處理

Zeta電位測量：膜電極設計與“Y”型探頭形成微電場測量電泳遷移率

分子量測量：水力直徑或德拜曲線

光學系統(tǒng)：

3mW780nm半導體固定位置激光器，通過梯度步進光纖直接照射樣品，在固定位置用硅光二極管接受背散射光信號，無需校正光路

軟件系統(tǒng)：

先進的FLEX軟件提供強大的數據處理能力，包括圖形，數據輸出/輸入，個性化輸出報告，及各種文字處理功能，如PDF格式輸出, Internet共享數據，Microsoft Access格式（OLE）等。體積，數量，面積及光強分布，包括積分/微分百分比和其他分析統(tǒng)計數據。數據的完整性符合21 CFR PART 11安全要求，包括口令保護，電子簽名和指定授權等。

外部環(huán)境：

電源要求：90-240VAC，5A，50/60Hz

環(huán)境要求：溫度，10-35°C

國際標準：符合ISO13321，ISO13099-2:2012 和 ISO22412:2008

主要特點：

? 采用先進的動態(tài)光散射技術，引入能普概念代替?zhèn)鹘y(tǒng)光子相關光譜法

? “Y”型光纖光路系統(tǒng)，通過藍寶石測量窗口，直接測量懸浮體系中的顆粒粒度分布，在加載電流的情況下，與膜電極對應產生微電場，測量同一體系的Zeta電位， 避免樣品交叉污染與濃度變化。

? 異相多譜勒頻移技術，較之傳統(tǒng)的方法，獲得光信號強度高出幾個數量級，提高分析結果的可靠性。

? 可控參比方法（CRM），能精細分析多譜勒頻移產生的能譜，確保分析的靈敏度。

? 超短的顆粒在懸浮液中的散射光程設計，減少了多重散射現(xiàn)象的干擾，保證高濃度溶液中納米顆粒測試的準確性。

? 快速傅利葉變換算法（FFT，F(xiàn)ast FourierTransform Algorithm Method）,迅速處理檢測系統(tǒng)獲得的能譜，縮短分析時間。

? 膜電極設計，避免產生熱效應，能準確測量顆粒電泳速度。

? 無需比色皿，毛細管電泳池或外加電極池，僅需點擊Zeta電位操作鍵，一分鐘內即可得到分析結果

? 消除多種空間位阻對散射光信號的干擾，諸如光路中不同光學元器件間傳輸的損失，樣品池位置不同帶來的誤差，比色皿器壁的折射與污染，分散介質的影響，多重散射的衰減等，提高靈敏度。

產品參數