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日本Advance Riko 公司致力于電弧等離子體沉積系統(tǒng)（APD）利用脈沖電弧放電將電導材料離子化，產(chǎn)生高能離子并沉積在基底上，制備納米級薄膜鍍層或納米顆粒。

電弧等離子體沉積系統(tǒng)利用通過控制脈沖能量，可以在1.5nm到6nm范圍內(nèi)精確控制納米顆粒直徑，活性好，產(chǎn)量高。多種靶材同時制備可生成新化合物。金屬/半導體制備同時控制腔體氣氛，可以產(chǎn)生氧化物和氮化物薄膜。高能量等離子體可以沉積碳和相關(guān)單質(zhì)體如非晶碳，納米鉆石，碳納米管 形成新的納米顆粒催化劑。

主要應(yīng)用領(lǐng)域： 

1、制備新金屬化合物，或制備氧化物和氮化物薄膜（氧氣和氮氣氛圍）；
2、制備非晶碳，納米鉆石以及碳納米管的納米顆粒；
3、形成新的納米顆粒催化劑（廢氣催化劑，揮發(fā)性有機化合物分解催化劑，光催化劑，燃料電池電極催化劑，制氫催化劑）；
4、用熱電材料靶材制備熱電效應(yīng)薄膜。

技術(shù)原理：

1、在觸發(fā)電極上加載高電壓后，電容中的電荷充到陰極（靶材）上；
2、真空中的陽極和陰極（靶材）間，電子形成了蠕緩放電，并產(chǎn)生放電回路，靶材被加熱并形成等離子體；
3、通過磁場控制等離子體照射到基底上，形成薄膜或納米顆粒。

材料適用性：

APD適用于元素周期表中大部分高導電性金屬，合金以及半導體。所用原料為直徑10mmX17mm長圓柱體或管狀體，且電阻率小于0.01 ohm.cm。下面的元素周期表顯示了可制備的材料，綠色代表完全適用，黃色代表在一定條件下適用。