粉體行業(yè)在線展覽
碳化硅pvt培育的長(zhǎng)晶
面議
東尼電子
碳化硅pvt培育的長(zhǎng)晶
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PVT法長(zhǎng)晶
籽晶粘結(jié)成功率可以接近100%,平均生長(zhǎng)速度0.13-0.16mm/h,晶體利用率更高,更加適合6~8寸晶體的生長(zhǎng),單位晶體成本更低。同時(shí)具有高可靠性,熱場(chǎng)和工藝調(diào)節(jié)更便捷,更加適合規(guī)?;a(chǎn),這些優(yōu)勢(shì)在生長(zhǎng)大尺寸晶體時(shí)尤其明顯。