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碳化硅粉

>碳化硅基氮化鎵外延片

碳化硅基氮化鎵外延片

碳化硅基氮化鎵外延片

直接聯(lián)系

中電化合物半導(dǎo)體有限公司

浙江

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)
參考報(bào)價(jià):

面議

品牌:

中電化合物

型號(hào):

碳化硅基氮化鎵外延片

關(guān)注度:

207

產(chǎn)品介紹

    • Standard Layer Specifications


    Layer name

    Discription

    Thickness

    Comment

    Substrate

    100 or150 mm

    500±25 μm

    Beveling or Flat Orientation

    Buffer

    Doping iron

    2±0.5 μm

    Can be customized

    GaN channel

    GaN

    200nm

    Can be customized

    AlN insert

    AlN

    0.5-1.5nm

    Can be customized

    Barrier

    AlGaN(25%Al)

    20nm

    Can be customized

    Cap

    GaN

    2nm

    SiN cap available upon request

     


      • Electrical Specifications


      Parameter

      Measurement

      Units

      Target

      Electron Mobility

      Hall

      cm2/V.s

      >1600

      Sheet charge Density

      Hall

      /cm2

      >8E12

      Sheet Resistivity

      Eddy current

      Ohms/sq

      <450

      Sheet Resistivity uniformity

      Eddy current

      55 point

      <3%

      surface Topography

      AFM

      nm@5*5μm2

      <0.5

      TTV


      um

      <5

      Bow


      um

      < 5 0

      Breakdown voltage

      Gate test

      V

      >120


產(chǎn)品咨詢

碳化硅基氮化鎵外延片

碳化硅基氮化鎵外延片

請(qǐng)?zhí)顚懩男彰?

請(qǐng)?zhí)顚懩碾娫挘?

請(qǐng)?zhí)顚懩泥]箱:*

請(qǐng)?zhí)顚懩膯挝?公司名稱:*

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