久久综合久久美利坚中国_中曰韩无码视频_久久97久久97精品免视看_黄网址免费永久在线观看免费

 前   述：碳化硅作為第三代寬禁帶半導體材料的代表，在禁帶寬度、擊穿電場、熱導率、電子飽和速率、抗輻射能力等關鍵參數(shù)方面具有顯著優(yōu)勢，滿足了現(xiàn)代工業(yè)對高功率、高電壓、高頻率的需求，主要被用于制作高速、高頻、大功率及發(fā)光電子元器件。下游應用領域包括智能電網(wǎng)、新能源汽車、光伏風電、5G通信等，在功率器件領域有碳化硅二極管、MOSFET等已經(jīng)開始商業(yè)化應用。作為碳化硅晶錠的長晶基礎原材料也尤其重要，高品質(zhì)、高純度、高穩(wěn)定的碳化硅粉料才可以生長出品質(zhì)優(yōu)越且質(zhì)量穩(wěn)定的大尺寸晶錠從而生產(chǎn)出高品質(zhì)晶片襯底。

   高純度碳化硅粉料-產(chǎn)品純度3N-6N

針狀-未除碳料

顆粒狀-除碳料

針狀-除碳料