粉體行業(yè)在線展覽
粉體行業(yè)在線展覽
N 型（硅摻）自支撐氮化鎵
直接聯(lián)系
江陰皓睿光電新材料有限公司
江蘇
面議
N 型（硅摻）自支撐氮化鎵
252
氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體禁帶寬度大、導(dǎo)熱率高，GaN器件可在200℃以上的高溫下工作，能夠承載更高的能量密度，可靠性更高；較大禁帶寬度和絕緣破壞電場(chǎng)，使得器件導(dǎo)通電阻減少，有利與提升器件整體的能效；電子飽和速度快，以及較高的載流子遷移率，可讓器件高速地工作。
常用規(guī)格：
N 型（硅摻）自支撐氮化鎵
尺寸：10*10mm | 2英寸直徑50.8mm | 4英寸直徑100mm
晶向：(0001) Ga face
電阻率： ≤ 0.05 ohm.cm
拋光：雙面拋光
N 型（非摻）自支撐氮化鎵
尺寸：10*10mm | 2英寸直徑50.8mm | 4英寸直徑100mm
晶向：(0001) Ga face
電阻率： ≤ 0.5 ohm.cm
拋光：?jiǎn)蚊鎾伖?/span> | 雙面拋光
產(chǎn)品咨詢(xún)
N 型（硅摻）自支撐氮化鎵
江陰皓睿光電新材料有限公司請(qǐng)?zhí)顚?xiě)您的姓名：*
請(qǐng)?zhí)顚?xiě)您的電話：*
請(qǐng)?zhí)顚?xiě)您的郵箱：*
請(qǐng)?zhí)顚?xiě)您的單位/公司名稱(chēng)：*
請(qǐng)?zhí)岢瞿膯?wèn)題：*
您需要的服務(wù)：
中國(guó)粉體網(wǎng)保護(hù)您的隱私權(quán)：請(qǐng)參閱 我們的保密政策 來(lái)了解您數(shù)據(jù)的處理以及您這方面享有的權(quán)利。 您繼續(xù)訪問(wèn)我們的網(wǎng)站，表明您接受 我們的使用條款
