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>硅基氮化鎵外延

硅基氮化鎵外延

硅基氮化鎵外延Template

直接聯(lián)系

江陰晶沐光電新材料有限公司

江蘇

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)
參考報(bào)價(jià):

面議

品牌:

晶沐光電

型號(hào):

硅基氮化鎵外延Template

關(guān)注度:

125

產(chǎn)品介紹

介紹:硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延是在硅襯底上生長氮化鎵薄膜的技術(shù),結(jié)合了GaN的高性能和硅襯底的低成本優(yōu)勢。

?

應(yīng)用:用于高效電源轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的功率電子器件;適用于5G基站、雷達(dá)和衛(wèi)星通信等射頻器件;用于高亮度LED,提升發(fā)光效率等。

產(chǎn)品規(guī)格書


?

?

硅基氮化鎵外延襯底Tempalte(2~8inch)

襯底直徑

50.8mm

100mm

150mm

200mm

硅襯底厚度

1000μm

1000μm

1000μm

1150μm

硅襯底表面

Polished/Etched

硅襯底晶向

P(111)


外延導(dǎo)電類型

N-type

P-type

UID


外延摻雜元素

Si-doping

Mg-doping

Undoped


外延層厚度

<5 um

外延層厚度均勻性

≤5%

外延層表面

RMS<2nm

外延結(jié)構(gòu)圖


產(chǎn)品咨詢

硅基氮化鎵外延

硅基氮化鎵外延Template

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硅基氮化鎵外延 - 125
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