粉體行業(yè)在線展覽
硅基氮化鎵外延Template
面議
晶沐光電
硅基氮化鎵外延Template
125
介紹:硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延是在硅襯底上生長氮化鎵薄膜的技術(shù),結(jié)合了GaN的高性能和硅襯底的低成本優(yōu)勢。
?
應(yīng)用:用于高效電源轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的功率電子器件;適用于5G基站、雷達(dá)和衛(wèi)星通信等射頻器件;用于高亮度LED,提升發(fā)光效率等。
?
?
硅基氮化鎵外延襯底Tempalte(2~8inch) | ||||
襯底直徑 | 50.8mm | 100mm | 150mm | 200mm |
硅襯底厚度 | 1000μm | 1000μm | 1000μm | 1150μm |
硅襯底表面 | Polished/Etched | |||
硅襯底晶向 | P(111) | |||
外延導(dǎo)電類型 | N-type | P-type | UID | |
外延摻雜元素 | Si-doping | Mg-doping | Undoped | |
外延層厚度 | <5 um | |||
外延層厚度均勻性 | ≤5% | |||
外延層表面 | RMS<2nm | |||
外延結(jié)構(gòu)圖 |
石英載盤基板JSG2
碳化硅陶瓷載盤
石英晶圓通孔TGV
石英光學(xué)窗口JGS1
碳化硅基氮化鎵外延HEMT
金剛石多晶
金剛石單晶
碳化硅外延P-Type
硅基氮化鎵外延Template
藍(lán)寶石基氮化鋁薄膜和UVC
藍(lán)寶石基氮化鎵外延HEMT
藍(lán)寶石基氮化鎵外延LED