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半導(dǎo)體級CVD單晶金剛石

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上海征世科技股份有限公司

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品牌：

上海征世

型號：

半導(dǎo)體級CVD單晶金剛石

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產(chǎn)品介紹

目前，第四代半導(dǎo)體材料主要是以金剛石（C）、氧化鎵（Ga₂O₃）、氮化鋁（AlN）為代表的超寬禁帶（UWBG）半導(dǎo)體材料，禁帶寬度超過4.0 eV。相對于硅材料（**代）、氮化鎵（第三代）、碳化硅（第三代）等，金剛石半導(dǎo)體材料的禁帶寬度高，**優(yōu)勢在于更高的載流子遷移率、更高的擊穿電場、更大的熱導(dǎo)率。金剛石具有室溫下**的熱導(dǎo)率，可以滿足未來大功率、強(qiáng)電場和抗輻射等方面的需求，是制作功率半導(dǎo)體器件的理想材料，在智能電網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。

飽和漂移速度 / (×10⁷ cm/s)		載流子遷移率 / (cm²/Vs)
半導(dǎo)體材料	禁帶寬度/eV	電子	空穴	電子	空穴	擊穿場強(qiáng)/ (MV/cm)	介電常數(shù)	導(dǎo)熱率/(W/mK)
Si	1.1	1.1	0.8	1 500	450	0.3	11.9	150
4H-SiC	3.2	1.9	1.2	1 000	120	2.5	9.66	490
GaN	3.45	2.5	-	1 500	200	5	8.9	130
Ga₂O₃	4.9	2	-	300	-	8	9.93	23
金剛石	5.47	2.5	1.4	4 500	3 800	10	5.7	2 200

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半導(dǎo)體級CVD單晶金剛石

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