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場發(fā)射掃描電鏡熱場式SU5000

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面議

關(guān)注度:

631

產(chǎn)品介紹

特色

高性能電子光學系統(tǒng)

  • 二次電子分辨率: 頂位二次電子探測器(2.0 nm at 1kV)*

  • 高靈敏度: 高效PD-BSD, 超強的低加速電壓性能,低至100 V成像

  • 大束流(>200 nA): 便于高效微區(qū)分析

  • 性能優(yōu)異

  • 壓力可變: 具有優(yōu)異的低真空(10 -300 Pa)成像性能,配備高靈敏度低真空探測器(UVD)*

  • 開倉室快速簡單換樣(**樣品尺寸: Φ 200 mm x 80 mmH)

  • 微區(qū)分析: EDS, WDS, EBSD等等

  • *:

  • 選配附件

規(guī)格

項目內(nèi)容
分辨率1.2 nm @ 30 kV

3.0 nm @ 1 kV

2.0 nm @ 1 kV 減速模式*1

3.0 nm @ 15 kV 低真空模式*2

放大倍率10 - 600,000× (底片倍率), 18 - 1,000,000× (800 × 600 像素)

30 - 1,500,000× (1,280 × 960 像素)

電子光學系統(tǒng)電子槍ZrO /W 肖特基式電子槍
加速電壓0.5 - 30 kV (0.1 kV 步進)
著陸電壓減速模式: 0.1 - 2.0 kV*1
**束流> 200 nA
探測器低位二次電子探測器
低真空模式*2真空范圍: 10 - 300 Pa
馬達臺馬達臺控制5 - 軸自動 (優(yōu)中心)
可動范圍X:0~100mm

Y:0~50mm

Z:3~65mm

T:-20~90°

R:360°

**樣品尺寸**直徑: 200 mm

**高度: 80 mm

選配探測器
  • 高分辨率頂位二次電子探測器*1

  • 高靈敏度低真空探測器 (UVD)

  • 5分割半導體探測器 (PD-BSD)*3

  • 能譜儀 (EDS)

  • 波譜儀 (WDS)

  • 背散射電子衍射探測器 (EBSD)

  • *1:

  • 減速功能(包含高分辨率頂位二次電子探測器)

  • *2:

  • 低真空功能(包含5分割半導體探測器)

  • *3:

  • 空壓機(本地采購)

應用案例

樣品: 氧化鋅粉末

著陸電壓: 1 kV ; 倍率: 120,000x

低電壓下頂位二次電子探測器成像

樣品: PTFE

加速電壓: 3 kV ; 倍率: 13,000x

UVD探測器可在低加速電壓(3 kV)和低真空

(40 Pa) 下獲得高質(zhì)量圖像

產(chǎn)品咨詢

場發(fā)射掃描電鏡熱場式SU5000

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