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主要特點(diǎn)：

? 浸沒(méi)式熱場(chǎng)發(fā)射電子槍

提供高穩(wěn)定的電子束束流，與**光欄角控制透鏡配合獲得高分辨圖像.

? 電子束大電流高速分析

電子束**束流強(qiáng)度200nA

? 離子束大電流模式

加工速度很快

? 實(shí)時(shí)監(jiān)控加工過(guò)程

通過(guò)掃描電鏡圖像可以實(shí)時(shí)監(jiān)控加工過(guò)程，提高了內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析和獲得TEM用薄膜樣品的效率。

? 擴(kuò)展性極強(qiáng)

大樣品臺(tái)**裝樣直徑50mm，并且可以同時(shí)安裝EDS， EBSD， and CLD等探頭

技術(shù)參數(shù)：

FIB

離子源：Ga（鎵）液態(tài)金屬離子源

保證分辨率： 5 nm 以下(加速電壓 30 kV)

加速電壓： 5 to 30 kV

放大倍數(shù)： x30 (廣域)

x100 - x300，000

**束流：30 nA

SEM

浸沒(méi)式熱場(chǎng)發(fā)射電子槍

保證分辨率： 1.2 nm (電壓 30 kV)

加速電壓： 0.2 to 30 kV

放大倍數(shù)：x50 - x1，000，000

**束流： 200 nA

樣品臺(tái)移動(dòng)范圍： X:50mm ， Y:50mm ， Z:1.5～40mm ， T:－5～70° ， R:360°