蔡司Crossbeam系列

輕松發(fā)現(xiàn)和設(shè)計(jì)先進(jìn)材料

使用蔡司Crossbeam使您在三維納米分析流程中獲益

將場(chǎng)發(fā)射電子顯微鏡的成像與分析能力與聚焦離子束的加工能力結(jié)合。

無(wú)論是刻蝕，成像或做三維分析，Crossbeam將提高聚焦離子束的應(yīng)用速率。通過(guò)新的能譜模塊實(shí)現(xiàn)大部分的三維成分分析工作。

您可自主選擇使用蔡司 Crossbeam 340的可變氣壓功能，或者使用Crossbeam 550來(lái)滿足您急需的表征應(yīng)用。

現(xiàn)在有更大的樣品艙室供您選擇。

Crossbeam的優(yōu)勢(shì)

**化SEM的探測(cè)能力

低電壓電子束分辨率提升高達(dá)30%。

無(wú)論是二維表面成像或三維重構(gòu)，蔡司Crossbeam的掃描電子束均可提供優(yōu)異的表現(xiàn)。借助于Tandem decel在樣品上施加電壓，Gemini光學(xué)系統(tǒng)可以在1kV下獲得高達(dá)1.4nm的分辨率，從而對(duì)任意樣品均可獲得優(yōu)秀的圖像?？赏ㄟ^(guò)一系列的探測(cè)器表征您的樣品。通過(guò)獨(dú)特的Inlens EsB探測(cè)器，可獲取純的材料成分襯度信息。表征不導(dǎo)電樣品可以不受荷電效應(yīng)的影響。

提高您的FIB樣品的測(cè)試加工效率

通過(guò)FIB智能的刻蝕策略，其材料移除速率可提升高達(dá)40%。

在鎵離子類型的FIB-SEM中采用了大離子束束流。使用高達(dá)100nA的離子束束流可顯著節(jié)約時(shí)間，同時(shí)具有優(yōu)秀的FIB束斑形狀，從而獲得高分辨率。得益于智能的FIB掃描策略，移除材料時(shí)高效且精準(zhǔn)?？勺詣?dòng)批量制取樣品，例如截面，TEM樣品薄片或任何使用者自定義的圖形。

在FIB-SEM分析中體驗(yàn)優(yōu)異的三維空間分辨率

體驗(yàn)整合的三維能譜分析所帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)

可使用蔡司Atlas 5軟件擴(kuò)展您的Crossbeam，它是一個(gè)針對(duì)快速而準(zhǔn)確的三維斷層成像的軟硬件包。使用Atlas 5中集成的三維分析模塊可在三維斷層成像的過(guò)程中進(jìn)行能譜分析蔡司Crossbeam將Gemini電子束鏡筒和定制的聚焦離子束鏡筒結(jié)合起來(lái)，從而獲得高精度與速度。因此FIB-SEM的斷層成像可獲得優(yōu)異的三維空間分辨率和各向同性的三維體素尺寸。使用Inlens EsB探測(cè)器，探測(cè)深度小于3nm，可獲得表面敏感的、材料成分襯度圖像

Crossbeam的特點(diǎn)

Crossbeam的應(yīng)用

• 氧化鋁球 在Crossbeam 550上使用Tandem decel拍攝

  使用100nA束流進(jìn)行截面切割

  蔡司Crossbeam系列的FIB鏡筒具備獨(dú)特的100nA束流。該溝槽在硅片上刻蝕，體積為100 × 30 × 25 μm3，刻蝕時(shí)間10分鐘，使用100nA的FIB束流。注意這個(gè)結(jié)構(gòu)的精度。

  使用100nA束流刻蝕的溝槽

  在硅材料上不同切割策略的比較

  使用常規(guī)切割（左）材料去除需要10分54秒，而使用Fastmill，只需7分21秒（右）便可移除等量材料。全新開(kāi)發(fā)的掃描策略- Fastmill，通過(guò)優(yōu)化角度相關(guān)的濺射效應(yīng)來(lái)提高切割速度。與傳統(tǒng)的線切割相比， Fastmill的切割速率可增加多達(dá)40%。

  Crossbeam 550切割策略的比較

  批量精確樣品制備

  銀鎳銅多層結(jié)構(gòu)的TEM薄片，可提取進(jìn)行減薄，使用自動(dòng)樣品制備功能。

  TEM薄片 Ag-Ni-Cu多層結(jié)構(gòu)

  批量制備

  使用自動(dòng)樣品制備功能制備TEM薄片

  批量制備35個(gè)TEM薄片

  STEM成像并進(jìn)行高分辨率EDS分析

  在X2CrNi18-10鋼熱影響區(qū)晶界處的碳化鉻：STEM 明場(chǎng)像（左圖），EDS鉻元素分布圖（右圖）。

  鋼的STEM圖像和

  EDS的Cr元素分布圖