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面議
434
桌面單點(diǎn)測(cè)量
低成本的臺(tái)式壽命測(cè)量系統(tǒng),可在不同的制備階段表征各種不同的硅樣品,沒(méi)有內(nèi)置的自動(dòng)化。可選配手動(dòng)z軸,用于厚度在156毫米以下的晶錠。結(jié)果可視化的標(biāo)準(zhǔn)軟件。 MDPspot包括一個(gè)額外的電阻率測(cè)量選項(xiàng)。電阻率測(cè)量?jī)H適用于硅,可用于沒(méi)有高度調(diào)整可能性的晶圓片,也可用于晶錠。須預(yù)定義這兩個(gè)選項(xiàng)之一。
· 無(wú)接觸破壞的電子半導(dǎo)體特性μ-PCD測(cè)量選項(xiàng)外延片不可見(jiàn)的缺陷和檢測(cè)的靈敏度的可視化集成多達(dá)四個(gè)激光器適用于一個(gè)廣泛的注射水平獲取單一瞬態(tài)的原始數(shù)據(jù)以及用于特殊評(píng)估目的的圖
· 用于不同制備階段,從成體到*終器件,多晶硅或單晶硅單點(diǎn)測(cè)量載流子壽命的臺(tái)式裝置。
· 體積小,成本低,使用方便。擁有一個(gè)基本的軟件,結(jié)果可視化。適用于晶圓片到晶錠,易于高度調(diào)整。
樣品 | 不同的處理步驟,如鈍化或擴(kuò)散后的單晶或多晶硅晶圓、晶錠、電池、晶圓 |
樣品尺寸 | 50 x 50 mm2 到12“ 或210 x 210 mm2 |
電阻率 | 0.2 - 103 Ohm cm |
材質(zhì) | 硅晶圓,晶錠,部分或全部加工晶圓,復(fù)合半導(dǎo)體和更多其它類型 |
檢測(cè)性能 | 載流子壽命 |
尺寸 | 360 x 360 x 520 mm,質(zhì)量:16 kg |
電源 | 110/220 V, 50/60 Hz, 3 A |
· 允許單片調(diào)查不同種類的晶圓片有不同的菜單監(jiān)控材料、工藝質(zhì)量和穩(wěn)定性
Revontium
N80
VANTA
ScopeX PILOT
逸出功能譜儀
ARL X'TRA Companion X射線衍射儀
EDX6000C
WEPER XRF2800
Niton XL2 980Plus
BA-100 G系列
NAOMi-CT 3D-M