粉體行業(yè)在線展覽
一代高集成射頻前端芯片 S5643-66
面議
慧智微
一代高集成射頻前端芯片 S5643-66
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慧智微公司專注于可重構(gòu)射頻前端架構(gòu),采用基于“絕緣硅(SOI)+砷化鎵(GaAs)”兩種材料體系的混合架構(gòu)射頻前端技術(shù)路線,并實現(xiàn)技術(shù)突破及規(guī)模商用,使射頻前端器件可以通過軟件配置實現(xiàn)不同頻段、模式、制式和場景下的復(fù)用,取得性能、成本、尺寸多方面優(yōu)化,幫助全球客戶化繁為簡,與時俱進(jìn)。
集成高性能PA,支持APT性能優(yōu)化
所有頻段支持29dBm線性功率輸出
支持B41 HPUE
支持MIPI RFFE V2.1控制協(xié)議
一代高集成射頻前端芯片 S5643-66
一代高集成射頻前端芯片 S5643-62
一代高集成射頻前端芯片 S55643-22
一代高集成射頻前端芯片 S55643-52
一代高集成射頻前端芯片 S55643-31
高集成射頻前端模組芯片 S55055-11
高集成射頻前端模組芯片 S55043-11
一代高集成射頻前端芯片 S15727-11
高集成射頻前端芯片 S55217-11
S55217-31