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新一代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

直接聯(lián)系

量子科學儀器貿(mào)易（北京）有限公司

日本

產(chǎn)品規(guī)格型號

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產(chǎn)品介紹

新一代高性能激光浮區(qū)法單晶爐-LFZ

Quantum Design Japan公司推出的激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)傳承日本理化研究所(RIKEN，CEMS)的先進設(shè)計理念，新一代高性能激光浮區(qū)爐（型號：LFZ-2kW）具有更高功率、更加均勻的能量分布和更加穩(wěn)定的性能，將浮區(qū)法晶體生長技術(shù)推向一個全新的高度！

應(yīng)用領(lǐng)域

可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學、半導體、光學等多種學科領(lǐng)域相關(guān)單晶材料制備，尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點材料及高熱導率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作。

激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學、半導體、光學等多種學科領(lǐng)域相關(guān)單晶材料制備，尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點材料及高熱導率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作，跟傳統(tǒng)的激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)相比，Quantum Design公司推出的新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)具有以下技術(shù)優(yōu)勢：

● 采用全新五束激光設(shè)計，確保熔區(qū)能量分布更加均勻

● 更加科學的激光光斑優(yōu)化方案，有助于降低晶體生長過程中的熱應(yīng)力

● 采用了獨特的實時溫度集成控制系統(tǒng)

RIKEN（CEMS）設(shè)計的五束激光發(fā)生器原型機實物

新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù)：

加熱控制	加熱類型	5束激光
	激光功率	2KW
	熔區(qū)溫度	2700℃ ~ 3000℃*
	測溫范圍	1000℃ ~ 2700℃
	溫度穩(wěn)定性	+/-1℃
晶體生長控制	晶體生長設(shè)計長度可達	150mm*
	晶體生長設(shè)計直徑可達	8mm*
	晶體生長速度/轉(zhuǎn)速可達	300mm/hr; 100rpm
	樣品腔可施加壓力可達	10bar
	樣品腔氣氛	多種氣路（O2/Ar/混合氣等）可供選配
	晶體生長監(jiān)控	高清攝像頭
	晶體生長控制	PC控制

*具體取決于材料及實驗條件

應(yīng)用案例

采用新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)生長出的部分單晶體應(yīng)用案例：

Ruby

Dy₂Ti₂O₇

BaTiO₃

Sr₂RuO₄

SmB₆

Ba₂Co₂Fe₁₂O₂₂

Y₃Fe₅O₁₂

* 以上單晶圖片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供

用戶單位

東京大學

日本國立材料研究所

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新一代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

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新一代高性能激光浮區(qū)法單晶爐-LFZ