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儀器簡(jiǎn)介：

SDI少數(shù)載流子壽命監(jiān)測(cè)儀器已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體的研究單位與制造企業(yè)。目前在世界范圍內(nèi)已經(jīng)有超過400臺(tái)的SDI設(shè)備在使用當(dāng)中，其非接觸的檢測(cè)方式與高精度的檢測(cè)數(shù)據(jù)已經(jīng)在行業(yè)內(nèi)得到廣泛的承認(rèn)。其檢測(cè)結(jié)果快速圖形輸出的特性，可以使用戶簡(jiǎn)單直觀的獲得整個(gè)晶片的少于載流子壽命及金屬污染的數(shù)據(jù)信息。

技術(shù)參數(shù)：

可以非接觸式地測(cè)量硅片內(nèi)部的少數(shù)載流子壽命與擴(kuò)散長(zhǎng)。同時(shí)可以定量與定性的量測(cè)沉降到硅與二氧化硅內(nèi)部的鐵，銅，鈉等游離的金屬污染。**金屬污染濃度分辨率可以達(dá)到1E8的級(jí)別。

主要特點(diǎn)：

高金屬污染濃度分別率：1E8

可以對(duì)整個(gè)硅片進(jìn)行掃描，給出整個(gè)硅片的少數(shù)載流子壽命與金屬污染的具體數(shù)據(jù)并配合圖形

硅片表面有無二氧化硅薄膜不會(huì)對(duì)測(cè)量造成影響

不同型號(hào)設(shè)備適用于研究院所與生產(chǎn)企業(yè)