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多功能高分辨率磁光克爾顯微成像系統(tǒng)

直接聯(lián)系

量子科學(xué)儀器貿(mào)易(北京)有限公司

山東

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產(chǎn)品介紹

多功能高分辨率磁光克爾顯微成像系統(tǒng)

——眼見為實(shí):讓磁學(xué)測試可視化!

致真精密儀器(青島)有限公司生產(chǎn)的多功能高分辨率磁光克爾顯微成像系統(tǒng),以自主設(shè)計(jì)的光路結(jié)構(gòu)及奧林巴斯、索萊博光電元件為基礎(chǔ)制造,適用于磁性材料/ 自旋電子器件的磁疇成像和動(dòng)力學(xué)研究。

★ 多功能探針臺(tái),能夠提供面內(nèi)、垂直磁場及多對直流/ 高頻探針- 磁光成像與自旋輸運(yùn)測試**結(jié)合!

高達(dá)1.8T 垂直磁場,1 T 面內(nèi)磁場,4K-800K 變溫,可用于硬磁材料成像研究。

多功能控制系統(tǒng)

測試信號(hào)控制

- 垂直/ 面內(nèi)磁場/ 電流/ 微波等多路信號(hào) μs 級別同步施加;

- 各信號(hào)的波形、幅度、頻率、相對延時(shí)等參數(shù)輕松調(diào)節(jié)。

圖像處理

- 實(shí)時(shí)作差消背底噪聲;

- 自動(dòng)糾正震動(dòng)漂移等。

信號(hào)解析

- 電流、磁場測試信號(hào)的實(shí)時(shí)顯示;

- 基于克爾圖像分析,對樣品局域 (300 nm) 或全局做磁滯回線掃描。

磁場探針臺(tái)

面內(nèi)磁場

高達(dá)1 T,反應(yīng)速度50 ms,精確度0.1 mT。

三路垂直磁鐵任意切換

磁場1:高達(dá)1.8 T,反應(yīng)速度50 ms,精確度0.1 mT;

磁場2:高達(dá)30 mT,反應(yīng)速度50 μs,精確度0.01 mT;

磁場3:高達(dá)50 mT,反應(yīng)速度1 μs, 精確度0.01 mT;

可配置6 個(gè)直流/ 高頻探針,配置10 V,20 MHz任意波形信號(hào)源。

成像效果

克爾成像分辨率300 nm (100 倍物鏡);

視野:1.2 mm×1 mm (5 倍物鏡);

能檢測2 個(gè)原子層薄膜的磁性變化。

CoFeB(1.3 nm)/W(0.2)/CoFeB(0.5) 薄膜中的迷宮疇

圖像處理

以任意圖像為背底,實(shí)時(shí)作差消噪聲;

圖像漂移校正,自動(dòng)添加比例尺等功能。

CoFeB(20 nm) 薄膜中,

[ 面內(nèi)磁場20mT] 驅(qū)動(dòng)磁疇翻轉(zhuǎn)

CoTb 亞鐵磁微米線中SOT 驅(qū)動(dòng)的磁性翻轉(zhuǎn)

CoFeB/W/CoFeB

薄膜中的微米大小的磁泡

200 nm 寬的Ta/CoFeB/MgO 線中,

[120 mT, 5 μs] 磁場脈沖驅(qū)動(dòng)疇壁移動(dòng)

其他功能

分析全局或者局部 (300 nm) 克爾圖像,獲得磁滯回線;

磁滯回線的橫軸可以為面內(nèi)、垂直磁場或者電流等任意激勵(lì)信號(hào);

可配置變溫系統(tǒng):4K-800K 溫度可調(diào);

搭配ST-FMR,二次諧波等測試系統(tǒng)和軟件;

預(yù)留各種接口,可根據(jù)實(shí)驗(yàn)需求自主改裝。

應(yīng)用案例

■ 局部磁本征參數(shù)表征

克爾顯微鏡有一套表征幾乎所有磁學(xué)本征參數(shù)的方法。與其它表征方法相比,優(yōu)勢是可以進(jìn)行微小區(qū)域內(nèi)(300 nm) 的局部性質(zhì)表征,為各種磁性調(diào)控實(shí)驗(yàn) (如輻照、壓控、光控磁)、以及性質(zhì)不均一的材料表征提供了可能性。

局部飽和磁化強(qiáng)度MS表征

由于偶極作用,磁疇壁在靠近時(shí)會(huì)相互排斥。通過觀察不同磁場下疇壁的距離,可以提取局部區(qū)域的飽和磁化強(qiáng)度MS。此方法由巴黎- 薩克雷大學(xué)Nicolas Vernier 教授(本公司技術(shù)顧問)在2014 年首先提出并驗(yàn)證。與VSM 測量結(jié)果得到良好吻合[1]

局部各向異性能 K 的表征

通過分析局域克爾圖像明暗變化,可以獲得磁滯回線,從而提取局部區(qū)域等效各向異性場強(qiáng)度。

海森堡交換作用常數(shù)Aex

用我們的磁場“自定義波形”功能,將樣品震蕩退磁,再將得到的迷宮疇圖片進(jìn)行傅里葉變換,能夠精確得知磁疇寬度,從而提取海森堡交換作用剛度[2]

退磁狀態(tài)下的薄膜材料的磁疇結(jié)構(gòu)

Dzyaloshinskii-Moriya 作用( DMI) 的表征

利用面內(nèi)磁場和垂直磁場共同作用下的磁疇壁非對稱性擴(kuò)張,能夠測量薄膜材料的DMI 作用強(qiáng)度?;诖丝钤O(shè)備的得到的成果發(fā)表在Nanoscale 雜志[3]。

參考文獻(xiàn):

[1] Yu Zhang et al. Phys. Rev. Appl. 9, 064027 (2018).

[2] M. Yamanouchi et al., IEEE Magn. Lett. 2, 3000304 (2011).

[3] Anni Cao et al., Nanoscale 10, 12062 (2018).


■ 磁疇壁動(dòng)力學(xué)研究

磁場、電流或者其它激勵(lì)下磁疇壁的移動(dòng)速度測量

方法:施加幅度為B, 寬度為t 的磁場/ 電流脈沖,在脈沖

前后分別拍攝克爾圖像并作差,獲得疇壁移動(dòng)距離d,則速

度v=d/t。

備注:有限視野范圍內(nèi),超快疇壁運(yùn)動(dòng)的測量需要超短信

號(hào)脈沖。本系統(tǒng)配置的 μs 反應(yīng)速度的磁場可實(shí)現(xiàn)200m/s

疇壁速度的測量。

10ms 力波磁場脈沖

4 μs 超快磁場脈沖

磁疇壁張力效應(yīng)的觀測

利用微秒級別超快磁場脈沖,可在微小樣品中創(chuàng)造出磁泡。利用此款高分辨率克爾顯微鏡,**觀察到了磁疇壁在自身張力作用下的自發(fā)收縮過程[1-3]。

磁疇壁Hall bar 處的釘扎作用

利用磁場脈沖,我們精確控制磁疇壁在納米線中的位置。觀察磁疇壁的釘扎過程并測量解釘扎磁場[1]。

參考文獻(xiàn):

[1] Xueying Zhang et al., Phys. Rev. Appl. 9, 024032 (2018).

[2] Xueying Zhang et al. Nanotechnology 29, 365502 (2018).

[3] Anni Cao et al., IEEE Magn. Lett. 9, 1 (2018).


■ 自旋輸運(yùn)性質(zhì)測試+成像

STT 電流驅(qū)動(dòng)的磁疇壁運(yùn)動(dòng)

通過配備的探針和主控系統(tǒng)的任意波形發(fā)生器,可向樣品施加50 ns–s 級別的方波,觀察磁疇壁運(yùn)動(dòng)并測量速度。

STT 電流與垂直磁場共同作用下的磁疇壁運(yùn)動(dòng)

在某些材料中,無法觀測到純電流驅(qū)動(dòng)的磁疇壁運(yùn)動(dòng)。這時(shí),可以利用此設(shè)備μs 級別的超快磁場脈沖與電流同步,觀測垂直磁場+ 電流共同驅(qū)動(dòng)的疇壁運(yùn)動(dòng),從而解析多種物理效應(yīng),如重金屬/ 鐵磁體系的自旋極化率由于自旋散射降低的效應(yīng)[1]。

微秒級精確同步的磁場和電流方波脈沖

電流與面內(nèi)磁場共同作用下的磁疇壁運(yùn)動(dòng)

Hall 自旋流與面內(nèi)磁場共同作用,誘導(dǎo)磁矩翻轉(zhuǎn),即所謂的SOT 翻轉(zhuǎn)。本設(shè)備配置的面內(nèi)磁場和電學(xué)測試系統(tǒng),不但可以實(shí)現(xiàn)這個(gè)過程的電學(xué)測試,還可以利用相機(jī)與信號(hào)采集卡同步的功能,逐點(diǎn)解析翻轉(zhuǎn)曲線對應(yīng)的磁疇狀態(tài)[2]。

參考文獻(xiàn):

[1] Xueying Zhang et al., Phys. Rev. Appl. 11, 054041 (2019).

[2] Xiaoxuan Zhao et al., Nanotechnology 30, 335707 (2019).

更多應(yīng)用案例,請您致電 010-85120277/78/79/80 或?qū)懶胖?/span> info@qd-********* 獲取。

測試數(shù)據(jù)

1. 檢測磁性材料質(zhì)量

MgO/Co/Pt 樣品:

MgO 晶格錯(cuò)位導(dǎo)致的Co 薄膜缺陷。

在微小磁場作用下,缺陷周圍即出現(xiàn)磁性翻轉(zhuǎn)。

質(zhì)量不好磁性薄膜,

磁性翻轉(zhuǎn)過程中出現(xiàn)雪花狀磁疇。

質(zhì)量優(yōu)良的磁性薄膜,

磁疇結(jié)構(gòu)均勻,邊緣光滑。

2. 檢測缺陷位置

缺陷處,磁疇壁運(yùn)動(dòng)變形,形成釘扎效。利用高分辨率物鏡,可以直接觀察缺陷位置(紅圈)。

3. 自旋電子器件損傷檢測

自旋電子器件中,在微加工過程中,樣品邊緣出現(xiàn)損傷,導(dǎo)致在磁場作用下穩(wěn)定性下降,邊緣首先出現(xiàn)翻轉(zhuǎn)[1]。

4. 解析磁滯回線結(jié)果

磁光克爾顯微鏡由于具有空間分辨優(yōu)勢,可以解析磁滯回線對應(yīng)的磁疇狀態(tài)。如右圖,由于偶極作用比各向異性占優(yōu)勢,樣品出現(xiàn)自發(fā)退磁。

參考文獻(xiàn):

[1] Yu Zhang et al. Phys. Rev. Appl. 9, 064027 (2018).

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