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產(chǎn)品型號

三靶高真空磁控鍍膜濺射系統(tǒng)

主要特點

1、組成由單室超高真空雙靶磁控濺射室，由濺射真空室與管路組成。

2、配有旁抽系統(tǒng)，啟動快不停機即可更換樣品，重復性好。

3、用于鍍制各種單層膜、多層膜系，可實現(xiàn)單靶獨立、雙靶輪流、雙靶共濺射等濺射模式。

4、同時可以實現(xiàn)反應磁控濺射，制備氮化物，氧化物等，可鍍金屬及導磁金屬、合金、化合物、半導體、介質復合膜和其它化學反應膜。

5、作為試驗設備來說達到了**的性能價格比。

技術參數(shù)

系統(tǒng)由真空腔室、旋轉樣品架、磁控濺射靶、鎧裝加熱器、抽氣系統(tǒng)、真空測量、工作氣路、電控系統(tǒng)等各部分組成。

極限真空優(yōu)于：5.0x10^-5Pa（經(jīng)烘烤除氣后）

真空漏率小于2.0x10^-8Pa.l/S

系統(tǒng)短時間暴露大氣并充干燥氮氣后，再開始抽氣，40分鐘可達到6.0x10^-4Pa；

停泵關機12小時后真空度：≤5 Pa

1、 真空室腔體尺寸Ф300x350mm，手動上開蓋輔助液壓結構，前有一個觀察窗，樣品臺可旋轉內部連接鎧裝加熱器、真空規(guī)、放氣閥等各種規(guī)格的法蘭接口，選用優(yōu)質不銹鋼材料制造，氬弧焊接，表面采用電解拋光處理。采用金屬或氟橡膠圈密封。配備一體機柜標準電箱。

2、磁控濺射靶

靶材尺寸：Φ50mm（其中一個可以濺射磁性材料）；

永磁靶一支、強磁靶一支：射頻濺射與直流濺射兼容，靶內有水冷；配手動擋板。

2個靶可共同向下面的樣品中心濺射，靶與樣品距離90～110mm可調。

3、鎧裝加熱樣品:

加熱區(qū)域為Φ100mmX100mm(H)，基片加熱**溫度 室溫-600°C±1°C，由熱電偶閉環(huán)反饋控制。

配有磁力轉軸，電機驅動每分鐘低于30轉。

標準配件

1、真空部件

進氣角閥：2套；

RF100觀察窗：1套；

觀察窗法蘭：RF100 2個；

電阻規(guī)： KF16 1個；

電極引線： CF25 1個；

2、工作真空獲得及測量：

直聯(lián)6L/s機械泵： 1臺；

F600分子泵：1臺；

電磁KF20閥：1臺；

5227真空計：1臺

角閥RF16、管路、接頭、充氣閥D6等： 1路；

KF25電磁壓差閥： 1臺；

CF100閘板閥：1臺；

3、相關規(guī)格的金屬密封銅圈，氟橡膠密封圈

4、不銹鋼緊固螺栓、螺母、墊片等

5、安裝機臺架組件:

安裝臺架：整個設備安放在一個用承載式標準電箱上，箱體均進行噴塑處理。拆卸方便占地小780mmX580mmx1100mm。

6、電源控制系統(tǒng)

電源布置在標準電箱上，安裝于系統(tǒng)機架上。

7、自制電源

控制電源：1臺（為機械泵、電磁閥等提供電源及過程控制帶邏輯監(jiān)測）；

樣品加熱電源：1臺（日本產(chǎn)控溫表可實現(xiàn)程序控溫）室溫-600°C±1°C，由熱電偶閉環(huán)反饋控制。

8、配套電源

真空計電源：1套

直流DC500W電源：2套

流量顯示、流量控制器：1套

9、備品備件：1套