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MMR Hall Effect Measurement System

controlled continuously variable temperature

MMR可控連續(xù)變溫霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

1. 功能描述： 測(cè)量半導(dǎo)體薄膜中載流子類(lèi)型、載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等參數(shù)

2. 測(cè)試范圍： Si， SiGe， SiC， GaAs， InGaAs， InP， GaN (N Type & P Type)等材質(zhì)的半導(dǎo)體薄膜中載流子類(lèi)型、載流子濃度、 遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等參數(shù)。

3. 磁場(chǎng)強(qiáng)度：0.5T 電磁場(chǎng)，磁場(chǎng)強(qiáng)度可以定制選擇

4. 溫度區(qū)域: 70K ~730K； 80K ~580K； 80K ~730K； 300K ~730K

5. 電阻率范圍：10^-6~10¹³ Ohm*cm

6. 電阻范圍：10 m Ohms~ 10G Ohms

7. 載流子濃度：10²~10²²cm^-3

8. 遷移率: 10^-2~10⁹ cm²/volt*sec

儀器優(yōu)點(diǎn)：

1. 采用van der Pauw法測(cè)試;

2. **可測(cè)25mmX25mm樣品，提供兩種樣品裝載方式：彈簧探針、引線治具，以及兩個(gè)杜瓦瓶：全封閉和帶玻璃窗口各一 個(gè);

3. 配備電腦和相應(yīng)的控制軟件，測(cè)試過(guò)程以及設(shè)備內(nèi)各個(gè)單元均由軟件控制，永磁體需要手動(dòng)翻轉(zhuǎn)樣品，電磁場(chǎng)測(cè)試過(guò)程全自 動(dòng)。測(cè)試數(shù)據(jù)能夠方便的儲(chǔ)存和導(dǎo)出;

4. 模塊化設(shè)計(jì)，可升級(jí)到溫度范圍更廣、磁場(chǎng)更大的系統(tǒng)，也可升級(jí)成塞貝克測(cè)量系統(tǒng);

5. 測(cè)試過(guò)程中，由于致冷或加熱所引起的樣品振動(dòng)幅度在um量級(jí)或更優(yōu);

6. 在同一個(gè)樣品室下進(jìn)行變溫霍爾效應(yīng)的測(cè)試，**變溫范圍70K~730K。避免更換樣品室給測(cè)試帶來(lái)的不方便性和不連貫 性，其他品牌低溫和高溫需要在高溫和低溫兩個(gè)樣品室下測(cè)試

7.允許在一定氣體環(huán)境下測(cè)試

8.提供石英透明窗口，可以測(cè)試光激發(fā)下電阻率