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      本產(chǎn)品涉及一種太陽能半導體石英坩堝，是光伏單晶爐的關(guān)鍵部件，由高純石英砂制成，主要用于盛裝熔融硅并制成后續(xù)工序所需晶棒。石英坩堝在高溫下具有趨向變成二氧化硅的晶體（方石英），即再結(jié)晶， 也稱“失透”或“析晶”。析晶導致坩堝內(nèi)層被破壞，外層顆粒氧化物進入硅液，使生長的硅晶體結(jié)構(gòu)變異，無法正常長晶；坩堝厚度加速減薄，進而發(fā)生形變，因而坩堝報廢，無法重復利用，是拉晶的關(guān)鍵耗材。

       石英坩堝為半透明狀，有三層結(jié)構(gòu)，即涂層、氣泡空乏層、氣泡復合層。 比例取決于坩堝制造企業(yè)，如5:3:2、4:3:3或3:4:3等。

       氣泡空乏層：一般指內(nèi)層，是一層3~5mm的透明層，氣泡空乏層的存在使坩堝與溶液接觸區(qū)的氣泡密度降低，從而改善單晶生長的成功率及晶棒品質(zhì)。 內(nèi)層/透明層對石英砂的要求**。SiO?純度大于99.998%是基本要求

      氣泡復合層：一般指外層，是高氣泡密度的區(qū)域，受熱均勻保溫效果好。