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化合積電采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備，在50.8 mm(2英寸)硅基氮化鎵HEMT上實(shí)現(xiàn)<10um厚度多晶金剛石材料的外延生長(zhǎng)。采用掃描電子顯微鏡及X射線行射儀對(duì)金剛石薄膜的表面形貌、結(jié)晶質(zhì)量以及晶粒取向進(jìn)行表征測(cè)試，結(jié)果顯示:樣品表面形貌較為均勻，金剛石晶?；颈憩F(xiàn)為(111)面生長(zhǎng)，具有較高晶面取向。在生長(zhǎng)過(guò)程中有效避免了氮化鎵(GaN)被氫等離子體刻蝕，使得金剛石鍍膜前后氮化鎵特性未發(fā)生明顯變化。