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氮化鎵（GaN）是第三代半導(dǎo)體材料中的代表，因其高耐壓、高飽和速率等優(yōu)點，在微波射頻和功率電子領(lǐng)域逐漸替代傳統(tǒng)的硅基器件，發(fā)揮重要作用。埃特曼采用國際**的 Hybrid-MBE 技術(shù)，為國內(nèi)外客戶提供高質(zhì)量、低成本的 GaN 外延片。

射頻類：

  GaN-on-SiC HEMT

  GaN-on-Si HEMT

  S/D n+ GaN 二次外延

功率類： 

  GaN-on-Si HEMT