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一、產(chǎn)品概述：
VGF坩堝是應(yīng)用于垂直梯度凝固法（VGF）技術(shù)中的一類坩堝。目前，VGF技術(shù)作為單晶生長(zhǎng)的熱門技術(shù)，是微光電子和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生長(zhǎng)GaAs單晶和InP單晶的良好選擇。
二、主要特點(diǎn)：
1.可制作大規(guī)格坩堝（**直徑8inch，**高度18inch）；
2.純度>99.99%
3.使用次數(shù)多(具有優(yōu)異的層間結(jié)構(gòu))。
三、產(chǎn)品應(yīng)用：
應(yīng)用于原位合成GaAs、InP等半導(dǎo)體單晶