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氮化鋁晶體生長(zhǎng)爐

直接聯(lián)系

哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司

黑龍江

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)

參考報(bào)價(jià)：

面議

品牌：

哈爾濱科友

型號(hào)：

氮化鋁晶體生長(zhǎng)爐

關(guān)注度：

812

產(chǎn)品介紹

設(shè)備概述

氮化鋁晶體生長(zhǎng)爐主要用于物理氣相傳輸法（PVT）生長(zhǎng)大尺寸、高質(zhì)量AlN單晶。

設(shè)備優(yōu)勢(shì)

1、建立溫場(chǎng)與AlN半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)的精準(zhǔn)關(guān)系，揭示晶體結(jié)晶和動(dòng)力學(xué)過(guò)程，解決擴(kuò)徑難、易開(kāi)裂等生長(zhǎng)難點(diǎn)科學(xué)問(wèn)題。

2、優(yōu)化坩堝和溫場(chǎng)梯度結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，實(shí)施動(dòng)態(tài)檢測(cè)晶體生長(zhǎng)過(guò)程和溫場(chǎng)邊界條件，自主搭建國(guó)際上**大尺寸AlN單晶生長(zhǎng)爐。

3、解析AlN晶體缺陷結(jié)構(gòu)和性能參數(shù)之間的關(guān)系，建立高質(zhì)量、低缺陷AlN半導(dǎo)體單晶的退火工藝，有力解決AlN晶體缺陷富集的難點(diǎn)問(wèn)題。

設(shè)備參數(shù)

反應(yīng)器尺寸	直徑500mm x 900mm	電源頻率，HZ	50±1
**操作溫度2600° C （氬氣中）		相數(shù)	3
工作氣體	氬氣，氮?dú)?/span>	壓縮氣體，Mpa	0.6
**真空值 Torr	10-5 Torr	**功率，kw	50
電源功率 kw	75kw	晶體生長(zhǎng)天數(shù)，天	7
電源工作頻率 kHz	15kHz	氮?dú)庀牧浚琺3/爐	≤6
自動(dòng)化參數(shù)控制系統(tǒng)		電極接法	△
冷卻系統(tǒng)	20kW冷卻裝置（閉合電路）	設(shè)備外形尺寸（長(zhǎng)x寬x高）mm	1920x920x2790
電源電壓，V	380±19	**電流，A	90
輸出電壓，V	500-550

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氮化鋁晶體生長(zhǎng)爐

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