粉體行業(yè)在線展覽
6英寸快速退火爐RTP
面議
量伙半導(dǎo)體
6英寸快速退火爐RTP
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6英寸快速退火爐RTP
LH-RTA-E特點(diǎn):E系列半自動(dòng)快速退火爐,軟件控制取放片,適用于**6英寸(150mm*150mm)及以下尺寸硅片、第二代、第三代化合物材料等(包括但不限于,磷化銦,砷化鎵,碳化硅,氮化鎵等各類襯底和外延片),擁有出色的熱源和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。
設(shè)備主要規(guī)格(Features):
1.**6英寸 Wafer(單腔體**滿足150mm*150mm材料進(jìn)行加熱處理);2.冷卻方式包括水冷和氮?dú)獯祾?循環(huán)常溫水冷卻,軟件可視化監(jiān)控管理,防止外壁過(guò)熱,內(nèi)置氮?dú)夤苈?,吹掃腔體,保持清潔,極速降溫);
3.MFC控制,1-5路制程氣體。(品牌MFC控制器,內(nèi)置多路氣氛管路,可定制開(kāi)通,滿足各類測(cè)試工藝需求);4.退火溫度范圍 300℃-1000℃(常規(guī)硅基材料溫度適用于850℃,第三代半導(dǎo)體材料**可到1350℃)5.升溫速率 ≤150℃/秒(升溫速度隨不同的材料及裝置會(huì)有差異,標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)是裸片放置內(nèi)測(cè)量后得出,150攝氏度每秒是常規(guī)溫度速率,加熱設(shè)備的極限會(huì)更高);
略
HTBL
DNN430C/630C/460C/660C
燒結(jié)爐
BAF1200真空氣氛爐
迷你型電弧爐 MAM-1型/MAM-1型手套箱型
VHP-H 真空熱壓爐(臥式)
AMB真空釬焊爐
HVSF
DGBZ型
無(wú)
略