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設(shè)備特點(diǎn)：

• 1 電阻式碳化硅-單晶爐，電阻式石墨加熱，改進(jìn)型Lely方法的升華長(zhǎng)晶技術(shù)，物理氣相傳輸法(PVT)生長(zhǎng)碳化硅單晶晶體；

• 2 采用前出料結(jié)構(gòu)形式設(shè)備整體操作簡(jiǎn)單、布局合理，制造、裝配過程均有嚴(yán)格品控；

• 3 主要組成部件：爐室組件、傳動(dòng)系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)、自動(dòng)控制系統(tǒng)、報(bào)警系統(tǒng)、人機(jī)界面系統(tǒng)等；

• 4 自主研發(fā)的全自動(dòng)計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)抽空、檢漏、爐壓、工藝氣體流量控制、長(zhǎng)晶過程的自動(dòng)控制。

加熱系統(tǒng)：

• 石墨加熱器配置：上下兩組獨(dú)立石墨電阻加熱器,獨(dú)立溫控，工藝亦可上下加熱器同時(shí)溫度 控制，上方15KW修飾加熱器可修飾坩堝徑向溫度梯度，主加熱器 60KW x 2 控制軸向溫度梯度 

• 控制組件：PLC+PID（人機(jī)界面）

• 控制模式：溫度控制/功率控制

•  溫度檢測(cè)：紅外檢測(cè)儀，上下各配置一個(gè)，上測(cè)溫儀可移動(dòng)量測(cè)坩堝邊緣溫度， 可以得到籽晶區(qū)徑向溫度梯度

• 加熱功率：上方加熱器15KW，下側(cè)主加熱器60KW x 2 

• **溫度：2400℃

• 溫控范圍：1000-2400℃，精度：±1℃

• 溫控功率精度：滿量程范圍內(nèi)為設(shè)定值的±0.1% W

  
  

自動(dòng)控制系統(tǒng)：

• 組成：集成機(jī)柜+泵閥操作單元+真空測(cè)量單元+加熱控制單元+提升旋轉(zhuǎn)控制單元+水路 檢測(cè)單元+進(jìn)氣及壓力控制單元+報(bào)警單元 

• 關(guān)鍵制程數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)采集保存（溫度、壓力、加熱功率、電流等，保存周期≥1年） 

• 其他非關(guān)鍵設(shè)備參數(shù)實(shí)時(shí)采集保存（保存周期≥3個(gè)月） 

• 具備溫度，壓力，電流，功率等制程參數(shù)實(shí)時(shí)采集并生成曲線 

• 報(bào)警記錄，操作日志保存（保存周期≥6個(gè)月） 

• 可設(shè)定多組Recipe和離線編輯配置recipe 

• 壓力單位顯示為torr 

• 可遠(yuǎn)程監(jiān)控設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)，可與生產(chǎn)系統(tǒng)連接 

• 具備用戶登錄及賬戶管理系統(tǒng)，可以為不同的賬戶分配不同的權(quán)限