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臥式氧化爐
面議
育豪微電子
臥式氧化爐
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一、設(shè)備概述:
臥式氧化爐設(shè)備可應(yīng)用于集成電路、分立器件、 POWER、 MEMS等多種領(lǐng)域,適用于4-8英寸晶圓芯片的氧化、擴散、GPP、退火、合金等工藝。
氧化工藝是將硅片放置于氧氣或水蒸氣的氛圍中進行高溫?zé)崽幚?,在硅片表面形成氧化膜的過程,可作為離子注入的阻擋層及注入穿透層、表面鈍化、器件結(jié)構(gòu)的介質(zhì)層等
二、設(shè)備參數(shù)類型:
設(shè)備性能指標 | ||
1 | 操作方式 | 根據(jù)客戶操作可定左/右手操作 |
2 | 管路數(shù) | 1-5管 |
3 | 加工晶圓尺寸 | 4-8寸 |
4 | 適用工藝 | 擴散(磷擴、硼擴)、氧化(干氧、合成)、玻璃鈍化(GPP)、退火、合金、鋁預(yù)沉積 |
5 | 工藝指標 | 氧化膜厚均勻性(膜厚5000?) IW≤2%,W2W≤3%,R2R/D2D≤3% |
6 | 溫度校準功能 | 具有自動校準溫區(qū)功能,具有預(yù)先寫入偏差值快速拉溫區(qū)功能 |
7 | 控溫模式 | Spike控溫+Profile串級控溫 |
8 | 控制系統(tǒng)結(jié)構(gòu) | 一體工控機+PLC |
9 | 報警保護: | 具有超溫報警,斷偶報警,氣體互鎖,氣體緩啟動等功能 |