粉體行業(yè)在線展覽
液相法長(zhǎng)晶爐
面議
山東力冠
液相法長(zhǎng)晶爐
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本設(shè)備主要用于碳化硅(SiC)單晶生長(zhǎng)。液相法可以在更低的溫度(<2000℃)以下實(shí)現(xiàn)SiC單晶的生長(zhǎng),理論上更容易獲得高質(zhì)量的單晶。利用溫度梯度作為生長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體的生長(zhǎng)。
坩堝下降爐
MPCVD長(zhǎng)晶爐
HVPE外延爐
垂直布里奇曼法(VB)爐(非銥技術(shù))
導(dǎo)模法長(zhǎng)晶爐
HVPE長(zhǎng)晶爐
籽晶粘接設(shè)備
液相法長(zhǎng)晶爐
PVT法長(zhǎng)晶爐
LPCVD臥式爐
LPCVD立式爐
SiC高溫退火爐
略
VSF-V 石英槽沉爐
HBOX-1200
氮化鋁粉體量產(chǎn)爐
厚膜燒結(jié)爐
蓄熱式熱力氧化RTO
碳化硅涂層CVD爐
燒結(jié)爐(硬質(zhì)合金)
FZL(T)-360/17
YSJ-171212
JRF 系列
鋼帶傳動(dòng)隧道式電阻爐